[發明專利]納米粒子層圖案化的方法、量子點發光器件及顯示裝置

有效

• 申請號: 201910405886.0
• 申請日: 2019-05-16
• 公開（公告）號: CN110137387B
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 張振琦
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50;H01L27/32
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 劉偉;蔡麗

本發明涉及顯示領域，尤其涉及納米粒子層圖案化的方法、量子點發光器件及顯示裝置。本發明的納米粒子層圖案化的方法，包括以下步驟：(S1)將第一堿基連接于基板的預設區域的表面，形成修飾有第一堿基的基板；(S2)在所述基板的預設區域內沉積納米粒子，所述納米粒子的配體上包含第二堿基，所述第一堿基與第二堿基通過氫鍵連接，自組裝形成納米粒子層；(S3)去除未參與氫鍵連接的納米粒子。本發明不需要采用噴墨打印法或者光刻法即可完成納米粒子層，特別是量子點層的圖案化，能夠形成高分辨率、性能良好的納米粒子層。

技術領域

本發明涉及顯示領域，尤其涉及納米粒子層圖案化的方法、量子點發光器件及顯示裝置。

背景技術

隨著量子點制備技術的深入發展，量子點的穩定性以及發光效率不斷提升，量子點電致發光二極管(Quantum Light Emitting Diode，QLED)的研究不斷深入，QLED在顯示領域的應用前景日漸光明。但是，目前QLED的生成效率還沒有達到量產水平，其中最重要的原因是QLED的高分辨率圖案化技術目前還沒有取得突破。

量子點是零維的納米半導體材料，量子點三個維度的尺寸都不大于其對應的半導體材料的激子玻爾半徑的兩倍，現有技術制造圖案化的量子點時，由于量子點的無機納米粒子特性，無法通過蒸鍍成膜并圖案化的方法制作圖案化的量子點。

現有技術一般通過噴墨打印法制作圖案化的量子點，而采用這種方法很難達到較高的分辨率。現有技術為了提高產品的分辨率，采用光刻法制作圖案化的量子點，由于光刻法包括曝光過程，而曝光過程容易對量子點的性能造成影響。

綜上所述，現有技術無法制作圖案化的高分辨率的量子點層。同樣，與量子點性能相似的無機納米粒子，也無法按照現有技術形成圖案化的高分辨率膜層。

發明內容

本發明要解決的技術問題是：提供納米粒子層圖案化的方法、量子點發光器件及顯示裝置；所述圖案化的方法可形成分辨率高的納米粒子層，應用于量子點發光器件中時，可形成分別率高的量子點層。

本發明提供了一種納米粒子層圖案化的方法，包括以下步驟：

(S1)將第一堿基連接于基板的預設區域的表面，形成修飾有第一堿基的基板；

(S2)在所述基板的預設區域內沉積納米粒子，所述納米粒子的配體上包含第二堿基，所述第一堿基與第二堿基通過氫鍵連接，自組裝形成納米粒子層；

(S3)去除未參與氫鍵連接的納米粒子。

優選地，步驟(S1)具體為：

在基板的預設區域內連接包含第一堿基的化合物，形成修飾有第一堿基的基板；或者

在基板的整個表面連接包含第一堿基的化合物，然后去除非預設區域連接的第一堿基，形成修飾有第一堿基的基板。

優選地，步驟(S3)去除未參與氫鍵連接的納米粒子后，還包括：

在預設區域內依次沉積多層納米粒子層，不同所述納米粒子層之間通過氫鍵連接。

優選地，所述納米粒子層為量子點層。

優選地，所述方法具體包括：

在第一預設區域內形成修飾有第一堿基的基板；

在所述基板上沉積第一量子點，所述第一量子點的配體上包含第二堿基，所述第一堿基與第二堿基通過氫鍵連接，形成第一量子點層；

去除未參與氫鍵連接的第一量子點；

在第二預設區域內形成修飾有第三堿基的基板；

在所述基板上沉積第二量子點，所述第二量子點的配體上包含第四堿基，所述第三堿基與第四堿基通過氫鍵連接，形成第二量子點層；