[發明專利]納米粒子層圖案化的方法、量子點發光器件及顯示裝置

有效

• 申請號: 201910405886.0
• 申請日: 2019-05-16
• 公開（公告）號: CN110137387B
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 張振琦
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50;H01L27/32
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 劉偉;蔡麗

1.一種納米粒子層圖案化的方法，其特征在于，包括以下步驟：

(S1)將第一堿基連接于基板的預設區域的表面，形成修飾有第一堿基的基板；

(S2)在所述基板的預設區域內沉積納米粒子，所述納米粒子的配體上包含第二堿基，所述第一堿基與第二堿基通過氫鍵連接，自組裝形成納米粒子層；

(S3)去除未參與氫鍵連接的納米粒子；

所述納米粒子層為量子點層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(S1)具體為：

在基板的預設區域內連接包含第一堿基的化合物，形成修飾有第一堿基的基板；或者

在基板的整個表面連接包含第一堿基的化合物，然后去除非預設區域連接的第一堿基，形成修飾有第一堿基的基板。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(S3)去除未參與氫鍵連接的納米粒子后，還包括：

在預設區域內依次沉積多層納米粒子層，不同所述納米粒子層之間通過氫鍵連接。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法具體包括：

在第一預設區域內形成修飾有第一堿基的基板；

在所述基板上沉積第一量子點，所述第一量子點的配體上包含第二堿基，所述第一堿基與第二堿基通過氫鍵連接，形成第一量子點層；

去除未參與氫鍵連接的第一量子點；

在第二預設區域內形成修飾有第三堿基的基板；

在所述基板上沉積第二量子點，所述第二量子點的配體上包含第四堿基，所述第三堿基與第四堿基通過氫鍵連接，形成第二量子點層；

去除未參與氫鍵連接的第二量子點；

其中，所述第一量子點發射的光的顏色與所述第二量子點發射的光的顏色不同。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在第三預設區域內形成修飾有第五堿基的基板；

在所述基板上沉積第三量子點，所述第三量子點的配體上包含第六堿基，所述第五堿基與第六堿基通過氫鍵連接，形成第三量子點層；

去除未參與氫鍵連接的第三量子點；

其中，所述第三量子點發射的光的顏色與所述第一量子點發射的光的顏色、所述第二量子點發射的光的顏色均不同。

6.根據權利要求1或4～5任意一項所述的方法，其特征在于，所述第一堿基、第二堿基、第三堿基、第四堿基、第五堿基和第六堿基分別選自A、T、G、C、dNam、d5SICS中的任意一種，且所述第一堿基和第二堿基可形成氫鍵連接，所述第三堿基和第四堿基可形成氫鍵連接，所述第五堿基和第六堿基可形成氫鍵連接。

7.一種量子點發光器件的制作方法，包括形成陽極、量子點層和陰極，其特征在于，所述量子點層采用權利要求1或4～6任意一項所述的圖案化的方法制成。

8.一種量子點發光器件，其特征在于，采用權利要求7所述的量子點發光器件的制作方法制作形成。

9.一種顯示裝置，包括權利要求8所述的量子點發光器件。