[發(fā)明專利]一種防止硅片粘連的慢提拉槽體結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910405396.0 | 申請日： | 2019-05-16 |
| 公開（公告）號： | CN110034056A | 公開（公告）日： | 2019-07-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王濤;余波;楊蕾 | 申請（專利權(quán)）人： | 通威太陽能（安徽）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/673 | 分類號： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 昆明合眾智信知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 53113 | 代理人： | 韋群 |
| 地址： | 230088 安徽省合*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 提拉槽 引流槽 隔離板 托盤 粘連 硅片 兩側(cè)面 體結(jié)構(gòu) 等距間隔設(shè)置 槽體結(jié)構(gòu) 等距間隔 夾具工裝 交叉分布 薄硅片 良品率 體內(nèi) 側(cè)面 改造 | ||
1.一種防止硅片粘連的慢提拉槽體結(jié)構(gòu)，包括慢提拉槽(1)，所述慢提拉槽(1)內(nèi)設(shè)置有托盤(2)，其特征在于：所述托盤(2)上等距間隔設(shè)置有若干隔離板(3)，所述隔離板(3)兩側(cè)面均開設(shè)有引流槽(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防止硅片粘連的慢提拉槽體結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述托盤(2)的四個拐角處均固定設(shè)置有花籃卡點(diǎn)(5)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防止硅片粘連的慢提拉槽體結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述隔離板(3)厚度為1.0-1.5mm，高度為6-8cm，寬度為3-4cm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防止硅片粘連的慢提拉槽體結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述隔離板(3)兩側(cè)面設(shè)置的引流槽(4)呈交叉分布，每個側(cè)面的引流槽(4)設(shè)置有10-15根，且引流槽(4)寬度為0.5-0.7mm，深度為0.3-0.4mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防止硅片粘連的慢提拉槽體結(jié)構(gòu)，其特征在于：每兩塊相鄰所述隔離板(3)之間的間距為4mm。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
