[發明專利]用于屏蔽磁敏感組件的結構和方法

有效

• 申請號: 201910403978.5
• 申請日: 2015-05-15
• 公開（公告）號: CN110085571B
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發明（設計）人: 林文欽;J·簡斯基
• 申請（專利權）人: 艾沃思賓技術公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H10N50/80;H10N50/01;H10N59/00;H01L23/488;H01L23/13;H01L23/14;H01L23/498;H01L21/60;G11C5/00;G11C11/16
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 劉倜

公開了用于屏蔽磁敏感組件的結構和方法。一種結構包括：襯底；設置在襯底上的底屏蔽件；具有第一表面和與所述第一表面相反的第二表面的磁電阻半導體器件，磁電阻半導體器件的第一表面設置在底屏蔽件上；設置在磁電阻半導體器件的第二表面上的頂屏蔽件；以及將磁電阻半導體器件連接到多個導電元件的多個互連，其中頂屏蔽件具有用于接入所述磁電阻半導體器件的窗口。

本申請是申請日為2015年5月15日、申請號為201580026548.6、發明名稱為“用于屏蔽磁敏感組件的結構和方法”的中國發明專利申請的分案申請。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2014年5月15日提交的美國臨時申請No.61/993,668和于2015年5月14日提交的美國非臨時申請號No.14/712,130的優先權，其全部內容通過引用并入本文中。

技術領域

本公開涉及屏蔽半導體器件。更具體地，本公開涉及屏蔽包括一個或多個具有磁敏感材料的半導體器件。

背景技術

例如，在磁存儲器單元和磁傳感器中使用磁材料。磁電阻隨機存取存儲器(Magnetoresistive?Random?Access?Memory,“MRAM”)是使用磁荷(magnetic?charges)來儲存數據的非易失性計算機存儲器技術。MRAM包括磁電阻存儲器元件或單元等。在一個示例中，每個存儲器單元具有包括由不同非磁層分開的多個磁層的結構。一般而言，通過向磁電阻存儲器單元施加磁場或自旋矩(spin?torque)，并由此使得在存儲器單元中的磁材料被磁化為兩個可能的存儲器狀態中的一個，來完成儲存數據。通過感測存儲器單元中的電阻水平來完成復現數據。

對用于數據保持的MRAM器件的發展和使用的興趣日益增長，這是因為MRAM結合了靜態隨機存取存儲器(Static?Random?Access?Memory,“SRAM”)的速度與閃存的非易失性。此外，與閃存相比，MRAM具有相對低的功率消耗、好的可靠性特性，并且隨著時間幾乎沒有退化。不幸地，MRAM器件的問題是來自外部磁場的干擾可能導致錯誤。

由于磁的性質，需要提供一種磁電阻存儲器器件和封裝方法，其導致對外部磁場干擾的較高的抗擾度。

發明概述

根據本公開一個方面，提供了一種半導體封裝件，包括：設置在第一平面中的底屏蔽件，所述底屏蔽件包括第一側、第二側以及在第一側與第二側之間延伸的第一尺寸；磁電阻半導體器件，具有第一表面和與所述第一表面相反的第二表面，所述磁電阻半導體器件的所述第一表面設置在所述底屏蔽件的至少一部分上；以及頂屏蔽件，設置在所述磁電阻半導體器件的所述第二表面上，所述頂屏蔽件具有用于接入所述磁電阻半導體器件的窗口，其中所述頂屏蔽件設置在與所述第一平面平行的第二平面中，所述頂屏蔽件包括第一側、第二側以及在第一側與第二側之間延伸的第二尺寸。

根據本公開另一方面，提供了一種半導體封裝件，包括：第一屏蔽件；磁電阻半導體器件，具有第一表面和與所述第一表面相反的第二表面，所述磁電阻半導體器件的所述第一表面設置在所述第一屏蔽件上；第二屏蔽件，設置在所述磁電阻半導體器件的所述第二表面上，所述第二屏蔽件具有用于接入所述磁電阻半導體器件的窗口；以及第三屏蔽件，設置在所述第一屏蔽件與所述第二屏蔽件之間，并且與所述磁電阻半導體器件相鄰。

根據本公開另一方面，提供了一種封裝磁電阻半導體器件的方法，所述方法包括：形成襯底；在襯底上設置底屏蔽件，所述底屏蔽件包括第一側、第二側以及在第一側與第二側之間延伸的第一尺寸；在所述底屏蔽件上設置磁電阻半導體器件，所述磁電阻半導體器件具有第一表面和與所述第一表面相反的第二表面；以及在所述磁電阻半導體器件的所述第二表面上設置頂屏蔽件，所述頂屏蔽件具有用于接入所述磁電阻半導體器件的窗口，其中所述頂屏蔽件設置在與所述第一平面平行的第二平面中，所述頂屏蔽件包括第一側、第二側以及在第一側與第二側之間延伸的第二尺寸。

附圖說明