[發明專利]用于屏蔽磁敏感組件的結構和方法

有效

• 申請號: 201910403978.5
• 申請日: 2015-05-15
• 公開（公告）號: CN110085571B
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發明（設計）人: 林文欽;J·簡斯基
• 申請（專利權）人: 艾沃思賓技術公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H10N50/80;H10N50/01;H10N59/00;H01L23/488;H01L23/13;H01L23/14;H01L23/498;H01L21/60;G11C5/00;G11C11/16
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 劉倜

1.一種半導體封裝件，包括：

設置在第一平面中的第一屏蔽件，所述第一屏蔽件包括第一側、第二側以及在第一平面中在第一屏蔽件的第一側和第二側之間延伸的第一長度；

磁電阻元件，具有第一表面和與第一表面相反的第二表面，其中所述磁電阻元件的第一表面設置為在第一界面處與所述第一屏蔽件的第一長度的至少一部分相鄰，其中第一屏蔽件的第一側和第二側延伸超出所述磁電阻元件的側面；以及

第二屏蔽件，設置為在第二界面處與所述磁電阻元件的第二表面相鄰，

其中所述第二屏蔽件在平行于第一平面的第二平面中延伸，所述第二屏蔽件包括第一側、第二側和在所述第二屏蔽件的第一側和第二側之間并且完全在第二平面中延伸的第二長度，其中第二屏蔽件的第一側和第二側延伸超出所述磁電阻元件的側面，使得在所述磁電阻元件外側在第一屏蔽件和第二屏蔽件之間形成有間隙；以及

其中第二屏蔽件包括用于接入所述磁電阻元件的窗口，并且其中所述窗口在垂直于所述第二屏蔽件的第二長度的方向上并且在第二平面中延伸穿過所述第二屏蔽件的整體寬度。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中所述第二屏蔽件包括第一屏蔽件部分和第二屏蔽件部分，并且其中第一屏蔽件部分和第二屏蔽件部分都設置在所述第二平面中并且設置為與所述磁電阻元件的第二表面相鄰以形成窗口。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中所述第二屏蔽件包括第一屏蔽件部分和第二屏蔽件部分，其中第一屏蔽件部分和第二屏蔽件部分都設置在所述第二平面中并且設置為與所述磁電阻元件的第二表面相鄰以形成窗口，并且其中所述半導體封裝件還包括球柵陣列。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中所述磁電阻元件包括磁電阻存儲器器件，所述磁電阻存儲器器件包括磁隧道結比特的陣列。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝件，還包括：

多個互連，將所述磁電阻元件連接到多個導電元件。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中所述第一屏蔽件的第一長度大于所述第二屏蔽件的第二長度。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中所述第一屏蔽件的第一長度和所述第二屏蔽件的第二長度相等。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中所述磁電阻元件包括第一側、第二側以及在磁電阻元件平面中在第一側和第二側之間延伸的磁電阻元件長度。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝件，還包括：

第一粘合劑，設置在所述第一屏蔽件和所述磁電阻元件之間；以及

第二粘合劑，設置在所述第二屏蔽件和所述磁電阻元件之間。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中第一界面和第二界面是平行的。

11.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中所述第一屏蔽件和所述第二屏蔽件中的至少一個的厚度在從約50μm到約500μm的范圍內，并且其中所述第一屏蔽件或所述第二屏蔽件的相應厚度在垂直于第一平面和第二平面的方向上延伸。

12.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中所述第一屏蔽件和所述第二屏蔽件中的至少一個由具有高磁導率的金屬形成。

13.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中所述第一屏蔽件和所述第二屏蔽件中的至少一個由包括鎳和鐵的合金形成。

14.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中所述第一屏蔽件和所述第二屏蔽件中的至少一個由軟磁材料形成。