[發(fā)明專利]制備半導(dǎo)體晶片的系統(tǒng)和方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910403500.2
• 申請(qǐng)日: 2019-05-15
• 公開（公告）號(hào): CN110181382B
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭加鎮(zhèn);高海棠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 徐州鑫晶半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號(hào): B24B29/02
• 分類號(hào): B24B29/02;H01L21/02
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 趙天月

本發(fā)明公開了一種制備半導(dǎo)體晶片的系統(tǒng)和方法，所述系統(tǒng)包括：施蠟裝置，所述施蠟裝置上設(shè)有可移動(dòng)地陶瓷盤，且用于向所述陶瓷盤上供給拋光蠟；第一加熱裝置，所述第一加熱裝置與所述施蠟裝置相連，且用于將所述陶瓷盤可旋轉(zhuǎn)地置于所述第一加熱裝置上且加熱熔化所述陶瓷盤上的拋光蠟；貼合裝置，所述貼合裝置與所述第一加熱裝置相連，且用于將晶片貼合在所述陶瓷盤上具有拋光蠟的一側(cè)；第二加熱裝置，所述第二加熱裝置可移動(dòng)地設(shè)在所述貼合裝置上方，用于對(duì)貼合硅片的陶瓷盤進(jìn)行加熱以降低應(yīng)力；拋光裝置，所述拋光裝置與所述貼合裝置相連，用于對(duì)貼合在陶瓷盤上的晶片進(jìn)行拋光。采用該系統(tǒng)可以保證拋光工序的順行，從而提高半導(dǎo)體晶片產(chǎn)量。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于單晶硅領(lǐng)域，具體涉及一種制備半導(dǎo)體晶片的系統(tǒng)和方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體晶片的制備工藝包括長(zhǎng)晶、切割、拋光、清洗等工序，其中拋光工序是晶片表面加工的關(guān)鍵技術(shù)之一。現(xiàn)有的拋光工序依次包括施蠟、加熱熔化、貼合、再加熱和拋光步驟，然而由于拋光工序空間緊湊，拋光工序中只采用一臺(tái)加熱裝置，即加熱熔化和再加熱步驟均是在同一臺(tái)加熱裝置上進(jìn)行的，也就是說(shuō)，再加熱步驟需采用抓手將貼合晶片返回至加熱熔化步驟的加熱裝置，不僅打亂了原有拋光工序，而且導(dǎo)致產(chǎn)量低下。此外，在貼合步驟中，由于晶片受力不均勻，表面存在著壓力差，會(huì)造成拋光后晶片的平坦度降低，嚴(yán)重地影響了后續(xù)的加工制程。

因此，現(xiàn)有拋光工序的技術(shù)有待進(jìn)一步改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問(wèn)題之一。為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種制備半導(dǎo)體晶片的系統(tǒng)和方法，采用該系統(tǒng)可以保證拋光工序的順行，從而提高半導(dǎo)體晶片產(chǎn)量，同時(shí)第二加熱裝置消除殘余壓力使得晶片受力均勻，大大地提高了晶片的平坦度。

在本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種制備半導(dǎo)體晶片的系統(tǒng)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述系統(tǒng)包括：

施蠟裝置，所述施蠟裝置上設(shè)有可移動(dòng)地陶瓷盤，且用于向所述陶瓷盤上供給拋光蠟；

第一加熱裝置，所述第一加熱裝置與所述施蠟裝置相連，且用于將所述陶瓷盤可旋轉(zhuǎn)地置于所述第一加熱裝置上且加熱熔化所述陶瓷盤上的拋光蠟；

貼合裝置，所述貼合裝置與所述第一加熱裝置相連，且用于將晶片貼合在所述陶瓷盤上具有拋光蠟的一側(cè)；

第二加熱裝置，所述第二加熱裝置可移動(dòng)地設(shè)在所述貼合裝置上方，用于對(duì)貼合晶片的陶瓷盤進(jìn)行加熱以降低應(yīng)力；

拋光裝置，所述拋光裝置與所述貼合裝置相連，用于對(duì)貼合在陶瓷盤上的晶片進(jìn)行拋光。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制備半導(dǎo)體晶片的系統(tǒng)通過(guò)在貼合裝置上方設(shè)置第二加熱裝置，即在該工序中采用兩個(gè)加熱裝置，使得貼合裝置上貼合完成的晶片直接進(jìn)行再加熱，從而不需要將其返回加熱熔化工序的加熱裝置，保證了整個(gè)工序流程的順行，提高產(chǎn)量，同時(shí)由于第二加熱裝置可移動(dòng)地設(shè)在貼合裝置上方，其并不需額外增大整個(gè)工序的空間。

另外，根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的制備半導(dǎo)體晶片的系統(tǒng)還可以具有如下附加的技術(shù)特征：

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述第二加熱裝置與所述貼合裝置的距離為1～3cm。由此，可以保證貼合晶片受熱均勻。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述第二加熱裝置為微波加熱裝置或燈管加熱裝置。由此，可以保證貼合晶片受熱均勻。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述微波加熱裝置為磁控管。由此，可以保證貼合晶片受熱均勻。

在本發(fā)明的第二個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種采用上述系統(tǒng)制備半導(dǎo)體晶片的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述方法包括：

(1)采用所述施蠟裝置向所述陶瓷盤上供給拋光蠟；

(2)采用所述第一加熱裝置加熱熔化所述陶瓷盤上的拋光蠟；