[發明專利]制備半導體晶片的系統和方法有效
| 申請號： | 201910403500.2 | 申請日： | 2019-05-15 |
| 公開（公告）號： | CN110181382B | 公開（公告）日： | 2020-12-01 |
| 發明（設計）人： | 鄭加鎮;高海棠 | 申請（專利權）人： | 徐州鑫晶半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | B24B29/02 | 分類號： | B24B29/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 趙天月 |
| 地址： | 221004 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制備 半導體 晶片 系統 方法 | ||
1.一種采用制備半導體晶片的系統實施制備半導體晶片的方法，其特征在于，所述制備半導體晶片的系統包括：
施蠟裝置，所述施蠟裝置上設有可移動地陶瓷盤，且用于向所述陶瓷盤上供給拋光蠟；
第一加熱裝置，所述第一加熱裝置與所述施蠟裝置相連，且用于將所述陶瓷盤可旋轉地置于所述第一加熱裝置上且加熱熔化所述陶瓷盤上的拋光蠟；
貼合裝置，所述貼合裝置與所述第一加熱裝置相連，且用于將晶片貼合在所述陶瓷盤上具有拋光蠟的一側；
第二加熱裝置，所述第二加熱裝置可移動地設在所述貼合裝置上方，用于對貼合晶片的陶瓷盤進行加熱以降低應力；
拋光裝置，所述拋光裝置與所述貼合裝置相連，用于對貼合在陶瓷盤上的晶片進行拋光，
其中，所述第二加熱裝置與所述貼合裝置的距離為1～3cm，所述第二加熱裝置的溫度為500～600攝氏度，時間為20～30秒，
所述方法包括：
(1)采用所述施蠟裝置向所述陶瓷盤上供給拋光蠟；
(2)采用所述第一加熱裝置加熱熔化所述陶瓷盤上的拋光蠟；
(3)采用所述貼合裝置將晶片貼合在所述陶瓷盤上具有拋光蠟的一側；
(4)采用所述第二加熱裝置對貼合晶片的陶瓷盤進行加熱；
(5)采用拋光裝置對步驟(4)的晶片進行拋光，
其中，在步驟(1)中，基于每寸所述陶瓷盤上，所述拋光蠟的施加量為3～15毫升。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二加熱裝置為微波加熱裝置或燈管加熱裝置。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述微波加熱裝置為磁控管。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(2)中，所述陶瓷盤的轉速為500～800rpm。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(2)中，所述陶瓷盤上熔化后拋光蠟層的厚度為1～200微米。
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