[發(fā)明專利]SCR脫硝反應(yīng)器中的脫硝催化劑系統(tǒng)及其脫硝方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910403141.0
• 申請日: 2019-05-15
• 公開（公告）號(hào): CN110052162A
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 肖雨亭;陸金豐;周鳳翔;徐光輝;白偉;陳波
• 申請（專利權(quán)）人: 北京國電龍?jiān)喘h(huán)保工程有限公司;江蘇龍?jiān)创呋瘎┯邢薰?/a>
• 主分類號(hào): B01D53/86
• 分類號(hào): B01D53/86;B01D53/88;B01D53/56
• 代理公司: 北京中建聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11004
• 代理人: 李丹;王靈靈

本發(fā)明涉及SCR脫硝技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種SCR脫硝反應(yīng)器中的脫硝催化劑系統(tǒng)及其脫硝方法。本發(fā)明包括奇數(shù)催化劑層和偶數(shù)催化劑層，奇數(shù)催化劑層和偶數(shù)催化劑層的數(shù)量均不少于1層，且沿?zé)煔饬鲃?dòng)方向間隔交錯(cuò)排布，奇數(shù)催化劑層包括多個(gè)沿脫硝反應(yīng)器橫截面、呈矩陣式水平排布的催化劑模塊A，催化劑模塊A通過連接導(dǎo)向件與隔層的催化劑模塊A連通形成第一煙氣通道；偶數(shù)催化劑層包括多個(gè)沿脫硝反應(yīng)器橫截面、呈矩陣式水平排布的催化劑模塊B，催化劑模塊B的排間距與催化劑模塊A一致且上下對應(yīng)設(shè)置，同排對應(yīng)設(shè)置的催化劑模塊B與上方的催化劑模塊A上下錯(cuò)位設(shè)置。本發(fā)明增大了與煙氣的流通接觸面積，可有效降低煙氣流速和阻力，脫硝效率高，使用壽命長。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及SCR脫硝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種SCR脫硝反應(yīng)器中的脫硝催化劑系統(tǒng)及其脫硝方法。

背景技術(shù)

煙氣脫硝系統(tǒng)一般用于各種鍋爐煙氣及其他工業(yè)廢氣，涉及燃煤、燃?xì)?、燃油發(fā)電廠、船舶，以及鋼鐵、水泥、玻璃、陶瓷、耐火材料等生產(chǎn)行業(yè)。煤燃燒所釋放的煙氣是NO_X主要來源，燃煤鍋爐煙氣中含有大量的NO、NO₂和少量的N₂O，控制NO_X排放對環(huán)境保護(hù)具有十分重要的意義。目前,電廠應(yīng)用最多、最成熟的煙氣脫硝技術(shù)是選擇性催化還原法，其核心技術(shù)是SCR脫硝系統(tǒng)。

現(xiàn)有不少脫硝系統(tǒng)為后裝，早期很多鍋爐設(shè)計(jì)時(shí)未考慮未來上脫硝系統(tǒng)，所以未留足阻力余量和反應(yīng)脫硝截面?，F(xiàn)有常規(guī)的催化劑模塊大多采用平鋪的布置方法，多層疊合設(shè)置，使煙氣依次通過第一層、第二層、第三層催化劑模塊，完成脫硝過程，但是這種催化劑模塊的布置方式，存在幾個(gè)明顯的缺陷：1）煙氣速度過高，導(dǎo)致催化劑模塊內(nèi)的催化劑磨損嚴(yán)重，直接影響脫硝效率；2）因反應(yīng)截面太小，脫硝催化劑總體積不變的情況下，催化劑設(shè)計(jì)必須加長，導(dǎo)致阻力大于設(shè)計(jì)阻力余量，會(huì)影響其他設(shè)備的正常運(yùn)行。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種增大了與煙氣的流通接觸面積，可有效降低煙氣流速和阻力，脫硝效率高，使用壽命長的SCR脫硝反應(yīng)器中的脫硝催化劑系統(tǒng)及其脫硝方法。

解決的技術(shù)問題是：傳統(tǒng)平鋪排布、多層疊合設(shè)置的催化劑模塊，因煙氣流速過高，磨損嚴(yán)重，使用壽命短；催化劑模塊與煙氣的接觸面積小，加長催化劑會(huì)增大煙氣流通的阻力，對其他設(shè)備的安全運(yùn)行造成直接影響。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

本發(fā)明SCR脫硝反應(yīng)器中的脫硝催化劑系統(tǒng)，包括奇數(shù)催化劑層和偶數(shù)催化劑層，奇數(shù)催化劑層和偶數(shù)催化劑層的數(shù)量均不少于1層，且沿?zé)煔饬鲃?dòng)方向間隔交錯(cuò)排布，其特征在于：所述奇數(shù)催化劑層包括多個(gè)沿脫硝反應(yīng)器橫截面、呈矩陣式水平排布的催化劑模塊A，催化劑模塊A通過連接導(dǎo)向件與隔層的催化劑模塊A連通形成第一煙氣通道；偶數(shù)催化劑層包括多個(gè)沿脫硝反應(yīng)器橫截面、呈矩陣式水平排布的催化劑模塊B，催化劑模塊B的排間距與催化劑模塊A一致且上下對應(yīng)設(shè)置，同排對應(yīng)設(shè)置的催化劑模塊B與上方的催化劑模塊A上下錯(cuò)位設(shè)置。

本發(fā)明SCR脫硝反應(yīng)器中的脫硝催化劑系統(tǒng)，進(jìn)一步的，所述催化劑模塊A和催化劑模塊B均為長方體模塊，催化劑模塊B的寬度為催化劑模塊A寬度的0.5~1.0倍。

本發(fā)明SCR脫硝反應(yīng)器中的脫硝催化劑系統(tǒng)，進(jìn)一步的，所述同排相鄰催化劑模塊A之間的最小距離小于催化劑模塊A的寬度設(shè)置。

本發(fā)明SCR脫硝反應(yīng)器中的脫硝催化劑系統(tǒng)，進(jìn)一步的，同排相鄰所述催化劑模塊A之間的最小距離為催化劑模塊A寬度的0.1~1倍，催化劑模塊A的排間距不大于催化劑模塊A的寬度。

本發(fā)明SCR脫硝反應(yīng)器中的脫硝催化劑系統(tǒng)，進(jìn)一步的，所述奇數(shù)催化劑層與偶數(shù)催化劑層之間的最小層間距小于催化劑模塊B的高度設(shè)置。