[發明專利]晶片的加工方法

在審

• 申請號: 201910402964.1
• 申請日: 2019-05-15
• 公開（公告）號: CN110517987A
• 公開（公告）日: 2019-11-29
• 發明（設計）人: 大前卷子
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 11127 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 喬婉;于靖帥<國際申請>=<國際公布>=

提供晶片的加工方法，即使在基板的上表面上形成有非粘接性樹脂層的情況下，也能夠粘貼保護帶。該晶片的加工方法將在基板(10)的上表面上包覆有非粘接性樹脂層(16)并且通過分割預定線(12)劃分出多個器件(14)的晶片(W)分割成各個器件(14)，其中，該晶片的加工方法至少包含如下的工序：非粘接性破壞工序，對非粘接性樹脂層(16)的正面照射紫外線(UV)而將正面的非粘接性破壞；保護帶粘貼工序，在非粘接性已被破壞的非粘接性樹脂層(16)的正面上粘貼保護帶(30)；以及分割工序，將切削刀具(43)定位于晶片(W)的分割預定線(12)，一邊提供切削水(WT)一邊對分割預定線(12)進行切削而將晶片(W)分割成各個器件(14)。

技術領域

本發明涉及晶片的加工方法，將在基板的上表面上包覆有非粘接性樹脂層的晶片分割成各個器件。

背景技術

由分割預定線劃分而在正面上形成有IC、LSI等多個器件的晶片通過切割裝置分割成各個器件，并被用于移動電話、個人計算機等電子設備。

另外，當CCD等圖像傳感器的正面被包含污染物的切削水污染時，會導致品質的降低，因此在正面上粘貼保護帶而進行切割(例如，參照專利文獻1)。

專利文獻1：日本特開2007-134390號公報

近年來，研究了將如下的晶片分割成各個器件，該晶片在基板的上表面上包覆有由非粘接性的有機硅樹脂例如二甲基聚硅氧烷(以下稱為“PDMS”)構成的層，并在由分割預定線劃分的區域內形成有不希望污染物附著的醫療用器件。

在將上述的包覆有PDMS的晶片分割成各個器件時，在希望使各個器件不被包含污染物的切削水污染的情況下，如上所述考慮了在正面上粘貼保護帶而進行切割。但是，已知PDMS等有機硅樹脂是非粘接性的，可以作為防粘劑，因此存在如下的問題：保護帶無法粘貼于基板上表面上，在切割時保護帶會發生剝離，無法防止污染物等的污染。

發明內容

本發明是鑒于上述事實而完成的，其主要的技術課題在于提供晶片的加工方法，即使在基板的上表面上形成有非粘接性樹脂層的情況下，也能夠粘貼保護帶。

為了解決上述主要的技術課題，根據本發明，提供晶片的加工方法，將在基板的上表面上包覆有非粘接性樹脂層并且通過分割預定線劃分出多個器件的晶片分割成各個器件，其中，該晶片的加工方法至少包含如下的工序：非粘接性破壞工序，對非粘接性樹脂層的正面照射紫外線，將正面的非粘接性破壞；保護帶粘貼工序，在非粘接性已被破壞的非粘接性樹脂層的正面上粘貼保護帶；以及分割工序，將切削刀具定位于晶片的分割預定線，一邊提供切削水一邊對分割預定線進行切削而將晶片分割成各個器件。

優選至少在該分割工序之前實施如下的框架支承工序：將晶片的下表面粘貼在劃片帶上，并且將劃片帶的外周粘貼在具有對晶片進行收納的開口的框架上，借助劃片帶而利用框架對晶片進行支承。另外，優選該非粘接性樹脂層是二甲基聚硅氧烷(PDMS)，該紫外線的波長至少包含185nm和254nm，在該非粘接性破壞工序中，使分子的鍵斷裂并且生成活性氧而將非粘接性破壞。

根據本發明的晶片的加工方法，至少包含如下的工序：非粘接性破壞工序，對非粘接性樹脂層的正面照射紫外線而將正面的非粘接性破壞；保護帶粘貼工序，在非粘接性已被破壞的非粘接性樹脂層的正面上粘貼保護帶；以及分割工序，將切削刀具定位于晶片的分割預定線，一邊提供切削水一邊對分割預定線進行切削而將晶片分割成各個器件，從而即使是在基板的上表面上包覆有PDMS等具有非粘接性的有機硅樹脂的晶片，也能夠粘貼保護帶，從而可防止污染物等附著于各個分割的器件，抑制品質的降低。

附圖說明

圖1的(a)是示出將在本實施方式中作為被加工物的晶片支承于框架的方式的立體圖，圖1的(b)是圖1的(a)中A-A所示的剖面的局部放大圖。

圖2是示出在本實施方式的非粘接性破壞工序中對晶片的上表面照射紫外線的方式的立體圖。