[發明專利]晶片的加工方法

在審

• 申請號: 201910402964.1
• 申請日: 2019-05-15
• 公開（公告）號: CN110517987A
• 公開（公告）日: 2019-11-29
• 發明（設計）人: 大前卷子
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 11127 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 喬婉;于靖帥<國際申請>=<國際公布>=

1.一種晶片的加工方法，將在基板的上表面上包覆有非粘接性樹脂層并且通過分割預定線劃分出多個器件的晶片分割成各個器件，其中，

該晶片的加工方法至少包含如下的工序：

非粘接性破壞工序，對非粘接性樹脂層的正面照射紫外線，將正面的非粘接性破壞；

保護帶粘貼工序，在非粘接性已被破壞的非粘接性樹脂層的正面上粘貼保護帶；以及

分割工序，將切削刀具定位于晶片的分割預定線，一邊提供切削水一邊對分割預定線進行切削而將晶片分割成各個器件。

2.根據權利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

至少在該分割工序之前實施如下的框架支承工序：將晶片的下表面粘貼在劃片帶上，并且將劃片帶的外周粘貼在具有對晶片進行收納的開口的框架上，借助劃片帶而利用框架對晶片進行支承。

3.根據權利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，

該非粘接性樹脂層是二甲基聚硅氧烷，該紫外線的波長至少包含185nm和254nm，

在該非粘接性破壞工序中，使分子的鍵斷裂并且生成活性氧而將非粘接性破壞。