[發(fā)明專利]一種鈣鈦礦多晶薄膜的印刷制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910402820.6 | 申請(qǐng)日: | 2019-05-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110212098A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-09-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭飛;麥耀華;邱舒迪 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 暨南大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L51/48 | 分類號(hào): | H01L51/48 |
| 代理公司: | 廣州市華學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245 | 代理人: | 桂婷 |
| 地址: | 510632 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鈣鈦礦 制備 多晶薄膜 鈣鈦礦薄膜 混合溶液 前驅(qū)體 印刷 濕膜 添加劑 材料制備工藝 產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn) 前驅(qū)體溶液 無(wú)機(jī)鈣鈦礦 薄膜形貌 低溫條件 有效調(diào)控 抽真空 結(jié)晶度 均一性 普適性 熱退火 基底 基鈣 基全 鈦礦 電池 拓展 | ||
本發(fā)明屬于材料制備工藝領(lǐng)域,公開(kāi)了一種鈣鈦礦多晶薄膜的印刷制備方法。本發(fā)明首先在鈣鈦礦前驅(qū)體溶液中加入適量添加劑得到混合溶液,然后在低溫條件下將混合溶液印刷在基底上,形成一層前驅(qū)體濕膜,再將前驅(qū)體濕膜通過(guò)抽真空,形成中間相鈣鈦礦薄膜,最后經(jīng)熱退火處理,得到結(jié)晶度高、均一性良好的鈣鈦礦多晶薄膜。該方法通過(guò)添加劑的加入實(shí)現(xiàn)了對(duì)晶體質(zhì)量和薄膜形貌的有效調(diào)控,且該方法具有廣泛普適性可以拓展到Cs基全無(wú)機(jī)鈣鈦礦、FA基鈣鈦礦或含有FA/Cs混合鈣鈦礦,以及Pb/Sn混合鈣鈦礦等多種不同組分鈣鈦礦薄膜的制備。該方法簡(jiǎn)單易行,有助于實(shí)現(xiàn)鈣鈦礦電池和鈣鈦礦其他器件的大面積制備和產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于材料制備工藝領(lǐng)域,具體涉及一種鈣鈦礦多晶薄膜的印刷制備方法。
背景技術(shù)
近年來(lái),鈣鈦礦半導(dǎo)體材料因?yàn)榫哂懈呶庀禂?shù)、高載流子遷移率、低激子結(jié)合能等優(yōu)異的光電特性,成為最有前景的光伏材料之一,在學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界得到了廣泛關(guān)注。鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的光伏性能主要取決于一層厚度為500nm左右的鈣鈦礦多晶薄膜,而鈣鈦礦薄膜的質(zhì)量主要決定于制備工藝。目前,在實(shí)驗(yàn)室中,通過(guò)溶液加工制備鈣鈦礦薄膜的工藝主要包括基于反溶劑結(jié)晶的一步旋涂法和無(wú)機(jī)組分/有機(jī)組分依次沉積的兩步法工藝。很顯然,基于反溶劑萃取的一步法旋涂工藝無(wú)法應(yīng)用到大面積的鈣鈦礦電池制備,而兩步法容易造成有機(jī)組分或無(wú)機(jī)組分過(guò)量而影響鈣鈦礦的晶體質(zhì)量。
相比之下,一步法可以通過(guò)前驅(qū)體溶液的配置進(jìn)行化學(xué)組分的調(diào)節(jié),可以有效避免某一組分過(guò)量或缺少帶來(lái)的晶體薄膜缺陷。一步法印刷工藝開(kāi)發(fā)已經(jīng)有大量文獻(xiàn)報(bào)道,但大部分都是在較高溫度下進(jìn)行前驅(qū)體涂布,通常大于100℃。其顯著缺點(diǎn)是在此高溫下涂布前驅(qū)體溶液,已經(jīng)超出鈣鈦礦結(jié)晶所需要的溫度,甚至接近溶劑的沸點(diǎn),從而容易導(dǎo)致鈣鈦礦結(jié)晶和溶劑蒸發(fā)兩個(gè)過(guò)程同時(shí)或交替進(jìn)行。因此,高溫涂布無(wú)法對(duì)鈣鈦礦薄膜結(jié)晶過(guò)程進(jìn)行有效控制,從而無(wú)法控制鈣鈦礦的晶體質(zhì)量和薄膜微觀形貌,導(dǎo)致生產(chǎn)重復(fù)率低,難以應(yīng)用于實(shí)際工業(yè)生產(chǎn)中。
CN 105702870A公開(kāi)了一種利用溶液抽氣法制備鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中鈣鈦礦薄膜的方法,雖然可在低溶劑分壓的環(huán)境中進(jìn)行抽氣干燥使鈣鈦礦液膜中的溶質(zhì)在基體表面異相形核并生長(zhǎng),再形成鈣鈦礦薄膜,但是控制干燥過(guò)程需要通過(guò)對(duì)基體粗糙形貌、熱量補(bǔ)償、抽氣速度和干燥速度等方面來(lái)控制,這些復(fù)雜的工藝參數(shù)在一定程度上限制了鈣鈦礦薄膜的大面積產(chǎn)業(yè)化制備。
CN 105702871 A公開(kāi)了一種利用溶液抽氣通氣法制備鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中鈣鈦礦薄膜的方法,但是需要在干燥過(guò)程中或完全干燥后通入不與鈣鈦礦反應(yīng)的化學(xué)氣體,在控制鈣鈦礦液膜中的溶質(zhì)在基體表面異相形核并生長(zhǎng)時(shí),還需要對(duì)鈣鈦礦液膜或基底進(jìn)行熱量補(bǔ)償,其中化學(xué)氣體的流動(dòng)性將會(huì)對(duì)鈣鈦礦薄膜造成破壞,熱量補(bǔ)償會(huì)增加生產(chǎn)中的能量損失,從而嚴(yán)重阻礙鈣鈦礦材料的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。
綜上所述,當(dāng)前已有的印刷工藝仍不能滿足對(duì)大面積鈣鈦礦多晶薄膜結(jié)晶過(guò)程進(jìn)行有效調(diào)控,因此,亟需開(kāi)發(fā)一種新的可以實(shí)現(xiàn)在低溫涂布,并對(duì)鈣鈦礦結(jié)晶過(guò)程進(jìn)行有效調(diào)控的印刷制備工藝。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)與不足,本發(fā)明的目的在于提供一種鈣鈦礦多晶薄膜的印刷制備方法。該方法解決現(xiàn)有技術(shù)中使用印刷技術(shù)制備大面積鈣鈦礦薄膜的三大不足:高溫涂布、結(jié)晶過(guò)程不可控和材料體系擴(kuò)展性差,從而獲得結(jié)晶度高、均勻和致密的鈣鈦礦多晶薄膜。
為了達(dá)到上述的目的,本發(fā)明采用的方案如下:
一種鈣鈦礦多晶薄膜的印刷制備方法,具體包括以下幾個(gè)步驟:
1)將含有鈣鈦礦前驅(qū)體的混合溶液,通過(guò)印刷方法涂布在基底上,沉積形成前驅(qū)體濕膜;
2)對(duì)步驟1)所得前驅(qū)體濕膜進(jìn)行真空預(yù)結(jié)晶處理,得到中間相鈣鈦礦薄膜;
3)對(duì)步驟2)所得中間相鈣鈦礦薄膜進(jìn)行退火處理,即形成鈣鈦礦多晶薄膜。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門(mén)適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
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H01L51-42 .專門(mén)適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門(mén)適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門(mén)適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
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