[發明專利]一種鈣鈦礦多晶薄膜的印刷制備方法在審
| 申請號: | 201910402820.6 | 申請日: | 2019-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN110212098A | 公開(公告)日: | 2019-09-06 |
| 發明(設計)人: | 郭飛;麥耀華;邱舒迪 | 申請(專利權)人: | 暨南大學 |
| 主分類號: | H01L51/48 | 分類號: | H01L51/48 |
| 代理公司: | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人: | 桂婷 |
| 地址: | 510632 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鈣鈦礦 制備 多晶薄膜 鈣鈦礦薄膜 混合溶液 前驅體 印刷 濕膜 添加劑 材料制備工藝 產業化生產 前驅體溶液 無機鈣鈦礦 薄膜形貌 低溫條件 有效調控 抽真空 結晶度 均一性 普適性 熱退火 基底 基鈣 基全 鈦礦 電池 拓展 | ||
1.一種鈣鈦礦多晶薄膜的印刷制備方法,其特征在于,具體包括以下幾個步驟:
1)將含有鈣鈦礦前驅體的混合溶液,通過印刷法涂布在基底上,沉積形成前驅體濕膜;
2)對步驟1)所得前驅體濕膜進行真空預結晶處理,得到中間相鈣鈦礦薄膜;
3)對步驟2)所得中間相鈣鈦礦薄膜進行退火處理,即形成鈣鈦礦多晶薄膜。
2.根據權利要求1所述的鈣鈦礦多晶薄膜的印刷制備方法,其特征在于:
步驟1)所述鈣鈦礦前驅體為ABX3型鈣鈦礦,
其中,A為甲胺陽離子、甲脒陽離子和Cs+中的至少一種;B為Pb,Sn,Ge和Cu中至少一種的陽離子;X為Cl,Br和I中至少一種的陰離子。
3.根據權利要求1所述的鈣鈦礦多晶薄膜的印刷制備方法,其特征在于:
步驟1)所述鈣鈦礦前驅體為MAPbI3、FAPbI3、FA0.6MA0.4Pb(I0.6Br0.4)3、CsPbBr3、MAPbBr3、FAxMA(1-x)PbI3、FA0.95Cs0.05PbI3和(FASnI3)x(MAPbI3)(1-x)中的至少一種,其中0≤x≤1。
4.根據權利要求1或2或3所述的鈣鈦礦多晶薄膜的印刷制備方法,其特征在于:
步驟1)所述混合溶液由鈣鈦礦前驅體溶液和添加劑混合均勻得到,其中:
所述鈣鈦礦前驅體溶液由形成ABX3晶體結構的鈣鈦礦原料和溶劑混合均勻得到;
所述鈣鈦礦原料包括AX和BX2,其中AX為MAI、MABr、FAI、FABr、CsI和CsBr中的至少一種;BX2為PbI2、PbBr2和SnI2中的至少一種;
所述鈣鈦礦前驅體溶液的溶劑為二甲基亞砜、N,N-二甲基酰胺和γ-丁內酯中的至少一種。
5.根據權利要求4所述的鈣鈦礦多晶薄膜的印刷制備方法,其特征在于:
所述添加劑為MACl、FACl、MASCN、FASCN、Pb(SCN)2、NH4SCN、NH4Cl、尿素、硫脲、甲基胺乙酸和氨基硫脲中的至少一種。
6.根據權利要求4所述的鈣鈦礦多晶薄膜的印刷制備方法,其特征在于:
所述鈣鈦礦前驅體溶液中鈣鈦礦前驅體的濃度為0.1M~1.5M;
所述添加劑的用量滿足其在混合溶液中的摩爾濃度為鈣鈦礦前驅體溶液中鈣鈦礦前驅體濃度的0.1%~100%。
7.根據權利要求4所述的鈣鈦礦多晶薄膜的印刷制備方法,其特征在于:
所述添加劑的用量滿足其在混合溶液中的摩爾濃度為鈣鈦礦前驅體溶液中鈣鈦礦前驅體濃度的0.5%~30%。
8.根據權利要求1所述的鈣鈦礦多晶薄膜的印刷制備方法,其特征在于:
步驟1)所述印刷方法為刮涂法、噴霧涂布、狹縫擠出印刷、噴墨印刷法和絲網印刷中的至少一種;
步驟1)所述基底為柔性基底和剛性基底中的一種。
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H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇





