[發(fā)明專利]一種抵抗地和電源反彈噪聲的數(shù)字信號(hào)處理電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910400515.3 | 申請(qǐng)日： | 2019-05-15 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN110048711A | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-07-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張勝;譚在超;丁國(guó)華;羅寅 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 蘇州鍇威特半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H03K19/094 | 分類號(hào)： | H03K19/094;H03K19/20 |
| 代理公司： | 南京眾聯(lián)專利代理有限公司 32206 | 代理人： | 謝振龍 |
| 地址： | 215699 江蘇省蘇州*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電壓鎖定電路 噪聲 反相器 輸入端 數(shù)字信號(hào)處理電路 電壓檢測(cè)點(diǎn) 信號(hào)輸出端 信號(hào)輸入端 電流源 輸出端 反彈 抵抗 電源 電路成本 邏輯電平 輸出信號(hào) 通道傳輸 電源線 負(fù)電平 電容 脈沖 地線 電路 鎖定 傳輸 | ||
1.一種抵抗地和電源反彈噪聲的數(shù)字信號(hào)處理電路，其特征在于：包括第一電流源、第二電流源、第一PMOS管、第一NMOS管、電容、第二PMOS管、第二NMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、反相器和電壓鎖定電路，第一電流源的輸入端連接電源，第一電流源的輸出端連接第一PMOS管的源極，第一PMOS管和第一NMOS管的柵極相連后作為數(shù)字信號(hào)處理電路的信號(hào)輸入端，第一PMOS管和第一NMOS管的漏極相連，第一NMOS管的源極連接第二電流源的輸入端，第二電流源的輸出端接地，電容的一端連接第一NMOS管的漏極，電容的另一端接地，第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管的源極均連接電源，第二PMOS管和第二NMOS管的漏極相連，第二PMOS管和第二NMOS管的柵極相連后連接電容的一端，第二NMOS管的源極接地，第三PMOS管和第三NMOS管的漏極相連后作為數(shù)字信號(hào)處理電路的信號(hào)輸出端，第三PMOS管和第三NMOS管的柵極相連后連接第二PMOS管的漏極，第三NMOS管的源極接地，第四PMOS管的柵極連接信號(hào)輸入端，第四PMOS管的漏極連接第五PMOS管的源極，第五PMOS管和第四NMOS管的漏極連接電容的一端，在第五PMOS管和第四NMOS管的漏極連接處引出第一電壓檢測(cè)點(diǎn)，第五PMOS管和第四NMOS管的柵極連接第二NMOS管的漏極，在第五PMOS管和第四NMOS管的柵極連接處引出第二電壓檢測(cè)點(diǎn)，第四NMOS管的源極與第五NMOS管的漏極相連，第五NMOS管的源極接地，第五NMOS管的柵極連接信號(hào)輸入端，反相器的輸入端連接信號(hào)輸入端，反相器的輸出端連接電壓鎖定電路的第一輸入端，電壓鎖定電路的第二輸入端連接信號(hào)輸出端，電壓鎖定電路的輸出端連接第二電壓檢測(cè)點(diǎn)；電壓鎖定電路能夠?qū)Φ诙妷簷z測(cè)點(diǎn)的電壓進(jìn)行鎖定，以穩(wěn)定地保持信號(hào)輸出端輸出信號(hào)的邏輯電平。
2.如權(quán)利要求1所述的一種抵抗地和電源反彈噪聲的數(shù)字信號(hào)處理電路，其特征在于，所述電壓鎖定電路包括第一MOS管和第二MOS管，第一MOS管的柵極連接信號(hào)輸出端，第一MOS管的漏極連接第二電壓檢測(cè)點(diǎn)，第一MOS管的源極連接第二MOS管的漏極，第二MOS管的柵極連接反相器的輸出端，第二MOS管的源極接地。
3.如權(quán)利要求1或2所述的一種抵抗地和電源反彈噪聲的數(shù)字信號(hào)處理電路，其特征在于，所述反相器采用非門(mén)實(shí)現(xiàn)，非門(mén)的輸入端連接信號(hào)輸入端，非門(mén)的輸出端連接電壓鎖定電路的第一輸入端。
4.如權(quán)利要求3所述的一種抵抗地和電源反彈噪聲的數(shù)字信號(hào)處理電路，其特征在于，所述第一MOS管和第二MOS管均采用NMOS管。
5.如權(quán)利要求4所述的一種抵抗地和電源反彈噪聲的數(shù)字信號(hào)處理電路，其特征在于，所述第一NMOS管的寬長(zhǎng)比W/L設(shè)計(jì)為0.01-0.1。
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