[發(fā)明專(zhuān)利]一種隔離槽的制造方法及其應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910400487.5
• 申請(qǐng)日: 2019-05-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110112264B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂振興;李鑫鑫;劉亞柱;王曉燕;齊勝利
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/00;H01L33/20;H01L33/38
• 代理公司: 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 代玲

本發(fā)明提出一種隔離槽的制造方法及其應(yīng)用，包括：提供一襯底；形成外延結(jié)構(gòu)于所述襯底上；通過(guò)多次曝光形成圖案化光阻層于所述外延結(jié)構(gòu)上；移除部分所述外延結(jié)構(gòu)，形成隔離槽；所述隔離槽暴露所述襯底；其中，進(jìn)行多次曝光時(shí)，第二次曝光時(shí)光罩與光阻層之間的距離大于第一次曝光時(shí)光罩與光阻層之間的距離。本發(fā)明提出的隔離槽的制造方法能夠提供高壓發(fā)光二極管芯片的產(chǎn)品良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及一種隔離槽的制造方法及其應(yīng)用。

背景技術(shù)

近年來(lái)，發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，簡(jiǎn)稱(chēng)LED)作為新一代綠色光源，廣泛應(yīng)用于照明、背光、顯示、指示等領(lǐng)域。高壓LED芯片包括至少兩個(gè)串聯(lián)的子芯片，各個(gè)子芯片均包括N型層、有源層和P型層。

高壓LED芯片由多個(gè)小功率LED串聯(lián)成的一顆集成式的發(fā)光二極管芯片，具有高抗靜電能力、高發(fā)光效率和節(jié)約封裝廠打線成本等優(yōu)點(diǎn)，在芯片領(lǐng)域的地位逐漸顯現(xiàn)。由于其高壓產(chǎn)品生產(chǎn)流程及工藝的特殊性，導(dǎo)致其制造良率低、一致性差。特別是高壓LED芯片中隔離槽的制造過(guò)程難以控制，導(dǎo)致高壓LED芯片的良率下降。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，本發(fā)明提出一種隔離槽的制造方法，以?xún)?yōu)化隔離槽的制程，提高發(fā)光二極管芯片的產(chǎn)品良率。

為實(shí)現(xiàn)上述目的或其他目的，本發(fā)明提出一種隔離槽的制造方法，至少包括：

提供一襯底；

形成外延結(jié)構(gòu)于所述襯底上；

通過(guò)多次曝光形成圖案化光阻層于所述襯底上；

移除部分所述外延結(jié)構(gòu)，形成隔離槽，所述隔離槽暴露所述襯底；

其中，進(jìn)行多次曝光時(shí)，第一次曝光完成后進(jìn)行第二次曝光，所述第二次曝光時(shí)光罩與光阻層之間的距離大于所述第一次曝光時(shí)光罩與光阻層之間的距離。

在一實(shí)施例中，第一次曝光時(shí)，所述光罩與所述光阻層之間的距離小于或等于70微米。

在一實(shí)施例中，第二次曝光時(shí)，所述光罩與所述光阻層之間的距離大于或等于90微米。

在一實(shí)施例中，所述隔離槽包括倒梯形狀。

在一實(shí)施例中，所述隔離槽的底部，所述隔離槽的斜面以及部分所述外延結(jié)構(gòu)形成了橋接處。

在一實(shí)施例中，所述隔離槽的斜面與所述襯底的夾角小于或等于45°。

本發(fā)明還提出一種發(fā)光二極管芯片，包括：

襯底；

外延結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述襯底上，所述外延結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層，發(fā)光層，第二半導(dǎo)體層；

電流阻擋層，設(shè)置在所述外延結(jié)構(gòu)上；

電流擴(kuò)展層，設(shè)置在所述電流阻擋層上；

凹槽，設(shè)置在所述襯底上，所述凹槽暴露所述第二半導(dǎo)體層，所述凹槽與所述電流擴(kuò)展層之間包括一間隔平臺(tái)；

隔離槽，設(shè)置在所述襯底上，所述隔離槽暴露所述襯底；

電極，設(shè)置在所述外延結(jié)構(gòu)上，所述電極包括第一金屬電極，第二金屬電極，第三金屬電極，所述第二金屬電極位于所述隔離槽上。

在一實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管芯片至少包括一個(gè)所述隔離槽。

在一實(shí)施例中，所述隔離槽位于所述凹槽內(nèi)。

在一實(shí)施例中，所述隔離槽的深度大于所述凹槽的深度。

在一實(shí)施例中，第二金屬電極位于所述橋接處上。