[發明專利]一種隔離槽的制造方法及其應用

有效

• 申請號: 201910400487.5
• 申請日: 2019-05-15
• 公開（公告）號: CN110112264B
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: 呂振興;李鑫鑫;劉亞柱;王曉燕;齊勝利
• 申請（專利權）人: 合肥彩虹藍光科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/20;H01L33/38
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 代玲

1.一種隔離槽的制造方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

形成外延結構于所述襯底上，所述外延結構包括第一半導體層、發光層、第二半導體層；

通過多次曝光形成圖案化光阻層于所述外延結構上；

移除部分所述外延結構，形成隔離槽；

其中，進行多次曝光時，第一次曝光完成后進行第二次曝光，所述第二次曝光時光罩與光阻層之間的距離大于所述第一次曝光時光罩與光阻層之間的距離；

其中，第一次曝光時，所述光罩與所述光阻層之間的距離小于或等于70微米；第二次曝光時，所述光罩與所述光阻層之間的距離大于或等于90微米；所述隔離槽的斜面與所述襯底的夾角小于或等于45°；

所述隔離槽的底部，所述隔離槽的斜面以及部分所述外延結構形成了橋接處。

2.一種發光二極管芯片，其特征在于，包括：

襯底；

外延結構，設置在所述襯底上，所述外延結構包括第一半導體層，發光層，第二半導體層；

電流阻擋層，設置在所述外延結構上；

電流擴展層，設置在所述電流阻擋層上；

凹槽，設置在所述襯底上，所述凹槽暴露所述第二半導體層，所述凹槽與所述電流擴展層之間包括一間隔平臺，所述凹槽的深度為1-2微米，所述間隔平臺為1-2微米；

隔離槽，設置在所述襯底上，所述隔離槽暴露所述襯底；

電極，設置在所述外延結構上，所述電極包括第一金屬電極，第二金屬電極，第三金屬電極，所述第二金屬電極位于所述隔離槽上；

其中，所述隔離槽由權利要求1中的制造方法形成。

3.根據權利要求2所述的發光二極管芯片，其特征在于：所述發光二極管芯片至少包括一個所述隔離槽。

4.根據權利要求2所述的發光二極管芯片，其特征在于：所述隔離槽位于所述凹槽內。

5.根據權利要求2所述的發光二極管芯片，其特征在于：所述隔離槽的深度大于所述凹槽的深度。