[發明專利]一種校驗的方法和裝置

有效

• 申請號: 201910400129.4
• 申請日: 2019-05-14
• 公開（公告）號: CN111951874B
• 公開（公告）日: 2022-10-18
• 發明（設計）人: 張曉偉
• 申請（專利權）人: 兆易創新科技集團股份有限公司;西安格易安創集成電路有限公司
• 主分類號: G11C29/12
• 分類號: G11C29/12;G11C29/32;G11C29/38
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

本發明提供了一種校驗的方法和裝置。所述方法包括：在檢測電路接收到對存儲單元進行存儲單元校驗操作的校驗指令時，根據多個位線與檢測電路的物理距離，選中多個位線中與檢測電路物理距離相對最遠的第一預設數量的位線，以第一預設數量的位線與檢測電路之間連接線的物理距離為標準，調整其他位線與檢測電路之間連接線的電阻值，響應于校驗指令，通過檢測電路對多個位線進行存儲單元校驗操作。本發明的方案使得所有進行校驗操作的位線都被施以同樣的電壓，以同一個標準來進行校驗，提高了檢測電路掃描的準確度，不會影響Nand flash存儲器執行其他的操作，提升了Nand flash存儲器的可靠性。

技術領域

本發明涉及存儲領域，尤其涉及一種校驗的方法和裝置。

背景技術

目前Nand flash存儲器包括：存儲單元陣列和檢測電路，存儲單元陣列由多個位線組合而成，檢測電路用于Nand flash存儲器中對存儲單元執行掃描，執行掃描的目的是為了驗證執行過編程的存儲單元是否通過驗證。

現有技術Nand flash存儲器檢測電路執行校驗操作時，按照一個位線一個位線掃描的方式進行，有可能得到錯誤的掃描的結果，即，原本通過驗證的存儲單元卻被錯誤地當成未通過驗證的存儲單元，導致檢測電路掃描的準確度較低，影響Nand flash存儲器執行其他的操作。

發明內容

本發明提供一種校驗的方法和裝置，提高了Nand flash存儲器中檢測電路掃描的準確度。

為了解決上述技術問題，本發明實施例提供了一種校驗的方法，所述方法應用于Nand flash存儲器，所述Nand flash存儲器包括：存儲單元陣列和檢測電路，所述存儲單元陣列包括：多個位線，每個位線包括多個存儲單元；所述方法包括：

在所述檢測電路接收到對所述存儲單元進行存儲單元校驗操作的校驗指令時，根據所述多個位線與所述檢測電路的物理距離，選中所述多個位線中與所述檢測電路物理距離相對最遠的第一預設數量的位線；

以所述第一預設數量的位線與所述檢測電路之間連接線的物理距離為標準，調整所述多個位線中除所述第一預設數量的位線以外的其他位線與所述檢測電路之間連接線的電阻值，使得所述其他位線上的檢測電壓與所述第一預設數量的位線上的檢測電壓相等；

響應于所述校驗指令，通過所述檢測電路對所述多個位線進行存儲單元校驗操作。

可選地，根據所述多個位線與所述檢測電路的物理距離，選中所述多個位線中與所述檢測電路物理距離相對最遠的第一預設數量的位線，包括：

根據所述多個位線與所述檢測電路的物理距離，選擇所述多個位線中與所述檢測電路物理距離相對最遠的第一預設數量的位線；

通過所述檢測電路檢測所述第一預設數量的位線中各位線上的檢測電壓之差是否在預設范圍內；

若所述第一預設數量的位線中各位線上的檢測電壓之差超出所述預設范圍，則將所述第一預設數量調整為第二預設數量，并重新選擇所述多個位線中與所述檢測電路物理距離相對最遠的第二預設數量的位線；

根據所述多個位線與所述檢測電路的物理距離，選中所述多個位線中與所述檢測電路物理距離相對最遠的第一預設數量的位線，包括：

若所述第一預設數量的位線中各位線上的檢測電壓之差在所述預設范圍內，則選中所述多個位線中與所述檢測電路物理距離相對最遠的第一預設數量的位線。

可選地，所述Nand flash存儲器還包括：滑動補償電阻，所述滑動補償電阻與所述檢測電路和所述存儲單元陣列分別連接，以所述第一預設數量的位線與所述檢測電路之間連接線的電阻值為標準，調整所述其他位線與所述檢測電路之間連接線的電阻值，包括：