[發明專利]一種校驗的方法和裝置有效
| 申請號: | 201910400129.4 | 申請日: | 2019-05-14 |
| 公開(公告)號: | CN111951874B | 公開(公告)日: | 2022-10-18 |
| 發明(設計)人: | 張曉偉 | 申請(專利權)人: | 兆易創新科技集團股份有限公司;西安格易安創集成電路有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/12 | 分類號: | G11C29/12;G11C29/32;G11C29/38 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
| 地址: | 100094 北京市海淀*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 校驗 方法 裝置 | ||
1.一種校驗的方法,其特征在于,所述方法應用于Nand flash存儲器,所述Nand flash存儲器包括:存儲單元陣列和檢測電路,所述存儲單元陣列包括:多個位線,每個位線包括多個存儲單元;所述方法包括:
在所述檢測電路接收到對所述存儲單元進行存儲單元校驗操作的校驗指令時,根據所述多個位線與所述檢測電路的物理距離,選中所述多個位線中與所述檢測電路物理距離相對最遠的第一預設數量的位線;
以所述第一預設數量的位線與所述檢測電路之間連接線的物理距離為標準,調整所述多個位線中除所述第一預設數量的位線以外的其他位線與所述檢測電路之間連接線的電阻值,使得所述其他位線上的檢測電壓與所述第一預設數量的位線上的檢測電壓相等;
響應于所述校驗指令,通過所述檢測電路對所述多個位線進行存儲單元校驗操作;
其中,所述根據所述多個位線與所述檢測電路的物理距離,選中所述多個位線中與所述檢測電路物理距離相對最遠的第一預設數量的位線,包括:
根據所述多個位線與所述檢測電路的物理距離,選擇所述多個位線中與所述檢測電路物理距離相對最遠的第一預設數量的位線;
通過所述檢測電路檢測所述第一預設數量的位線中各位線上的檢測電壓之差是否在預設范圍內;
若所述第一預設數量的位線中各位線上的檢測電壓之差超出所述預設范圍,則將所述第一預設數量調整為第二預設數量,并重新選擇所述多個位線中與所述檢測電路物理距離相對最遠的第二預設數量的位線;
若所述第一預設數量的位線中各位線上的檢測電壓之差在所述預設范圍內,則選中所述多個位線中與所述檢測電路物理距離相對最遠的第一預設數量的位線。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述Nand flash存儲器還包括:滑動補償電阻,所述滑動補償電阻與所述檢測電路和所述存儲單元陣列分別連接,以所述第一預設數量的位線與所述檢測電路之間連接線的電阻值為標準,調整所述其他位線與所述檢測電路之間連接線的電阻值,包括:
調用距離電阻值關系表,所述距離電阻值關系表為所述多個位線中任一位線與所述檢測電路之間連接線的物理距離與補償電阻的阻值之間的關系表,離所述檢測電路的物理距離越小的位線需要的補償電阻的阻值越大;
根據所述距離電阻值關系表,以所述第一預設數量的位線與所述檢測電路之間連接線的物理距離為標準,向所述滑動補償電阻發送使能信號,所述使能信號用于控制所述滑動補償電阻產生補償電阻值;
利用所述滑動補償電阻產生的補償電阻值,調整所述其他位線與所述檢測電路之間連接線的電阻值。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,在利用所述滑動補償電阻產生的補償電阻值,調整所述其他位線與所述檢測電路之間連接線的電阻值后,所述方法還包括:
通過所述檢測電路檢測所述其他位線上的檢測電壓與所述第一預設數量的位線上的檢測電壓是否相等;
若所述其他位線上的檢測電壓與所述第一預設數量的位線上的檢測電壓不相等,則返回步驟:調用距離電阻值關系表;以及,根據所述距離電阻值關系表,以所述第一預設數量的位線與所述檢測電路之間連接線的物理距離為標準,向所述滑動補償電阻發送使能信號,并利用所述滑動補償電阻產生的補償電阻值,調整所述其他位線與所述檢測電路之間連接線的電阻值;
若所述其他位線上的檢測電壓與所述第一預設數量的位線上的檢測電壓相等,則響應于所述校驗指令,通過所述檢測電路對所述多個位線進行存儲單元校驗操作。
4.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述多個位線中除所述第一預設數量的位線以外的其他位線與所述檢測電路之間連接線的電阻值的取值為:
所述其他位線與所述檢測電路之間連接線的電阻值加上所述滑動補償電阻產生的補償電阻值。
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