[發明專利]一種控制讀操作的方法和裝置

有效

• 申請號: 201910399713.2
• 申請日: 2019-05-14
• 公開（公告）號: CN111951867B
• 公開（公告）日: 2022-11-01
• 發明（設計）人: 張曉偉;潘榮華
• 申請（專利權）人: 兆易創新科技集團股份有限公司;西安格易安創集成電路有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

本發明提供了一種控制讀操作的方法和裝置。所述方法包括：在接收到讀操作指令時，執行讀操作指令對應的讀操作，讀操作包括：從存儲單元中將數據讀取到緩存區中的存儲讀取操作和從緩存中將數據通過I/O口讀出的緩存讀取操作，在執行當前次緩存讀取操作期間，通過溫度傳感器采樣Nand flash存儲器的當前工作溫度，根據當前工作溫度，通過狀態機調整下一次執行存儲讀取操作所需的操作電壓。本發明的方案保證了讀操作的操作電壓滿足存儲單元閾值電壓隨著Nand flash存儲器的工作溫度發生變化所需要的操作電壓，使得存儲單元內的數據被正確讀取，提高了Nand flash存儲器讀操作的可靠性。

技術領域

本發明涉及存儲領域，尤其涉及一種控制讀操作的方法和裝置。

背景技術

目前，Nand flash存儲器包括：狀態機、緩存區、存儲單元以及溫度傳感器，狀態機用于Nand flash存儲器執行各種操作時控制各種操作狀態，溫度傳感器用于檢測Nandflash存儲器的工作溫度。一般情況下，Nand flash存儲器初始工作時，其工作溫度會略高于所處的環境溫度，隨著Nand flash存儲器的使用，尤其是各種操作的執行，Nand flash存儲器的工作溫度會逐漸升高，最后趨于穩定。

現有技術Nand flash存儲器執行讀操作的過程是：首先通過溫度傳感器檢測出Nand flash存儲器工作溫度，以對應這個工作溫度的存儲單元閾值電壓，按照相應的讀操作電壓，以一定的大小從存儲單元中讀取出數據到緩存區中，再從緩存區中將該數據通過I/O口傳輸出去，重復上述過程直到整個讀操作結束。例如：開始讀取數據時，檢測Nandflash存儲器工作溫度為23℃，以對應23℃的存儲單元閾值電壓4.0V，按照相應的讀操作電壓4.0V，以4byte大小從存儲單元中讀取出4byte的數據到緩存區中，再從緩存區中將這4byte的數據通過I/O口傳輸出去，當緩存區中數據傳輸到Nand flash存儲器外部后，又以4.0V的讀操作電壓，按照4byte大小從存儲單元中再讀取出4byte的數據到緩存區中，此時緩存區中前一個4byte的數據已經傳輸完成，繼續傳輸這一個4byte的數據，如此反復形成流水線式的工作方式，直到整個讀操作結束。

上述過程中，隨著讀操作的持續進行，Nand flash存儲器的工作溫度會逐漸升高，從而影響Nand flash存儲器讀操作正確性，會發生Nand flash存儲器數據讀取錯誤，導致Nand flash存儲器讀操作可靠性較低。

發明內容

本發明提供一種控制讀操作的方法和裝置，解決了因工作溫度變化而導致的Nandflash存儲器讀操作發生數據讀取錯誤的問題。

為了解決上述技術問題，本發明實施例提供了一種控制讀操作的方法，所述方法應用于Nand flash存儲器，所述Nand flash存儲器包括：狀態機、緩存區、存儲單元以及溫度傳感器，所述方法包括：

在接收到讀操作指令時，執行所述讀操作指令對應的讀操作，所述讀操作包括：從存儲單元中將數據讀取到緩存區中的存儲讀取操作和從緩存中將數據通過I/O口讀出的緩存讀取操作；

在執行當前次緩存讀取操作期間，通過溫度傳感器采樣所述Nand flash存儲器的當前工作溫度；

根據所述當前工作溫度，通過所述狀態機調整下一次執行存儲讀取操作所需的操作電壓。

可選地，根據所述當前工作溫度，通過所述狀態機調整下一次執行存儲讀取操作所需的操作電壓，包括：

調用所述Nand flash存儲器的工作溫度區間與補償操作電壓的關系表，其中，所述Nand flash存儲器工作溫度越高的工作溫度區間對應的補償操作電壓的絕對值越大；

根據所述關系表中與所述當前工作溫度對應的補償操作電壓，通過所述狀態機調整下一次執行存儲讀取操作所需的操作電壓。