[發明專利]一種控制讀操作的方法和裝置

有效

• 申請號: 201910399713.2
• 申請日: 2019-05-14
• 公開（公告）號: CN111951867B
• 公開（公告）日: 2022-11-01
• 發明（設計）人: 張曉偉;潘榮華
• 申請（專利權）人: 兆易創新科技集團股份有限公司;西安格易安創集成電路有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

1.一種控制讀操作的方法，其特征在于，所述方法應用于Nand flash存儲器，所述Nandflash存儲器包括：狀態機、緩存區、存儲單元以及溫度傳感器，所述方法包括：

在接收到讀操作指令時，執行所述讀操作指令對應的讀操作，所述讀操作包括：從存儲單元中將數據讀取到緩存區中的存儲讀取操作和從緩存中將數據通過I/O口讀出的緩存讀取操作；

在執行當前次緩存讀取操作期間，通過溫度傳感器采樣所述Nand flash存儲器的當前工作溫度；

根據所述當前工作溫度，通過所述狀態機調整下一次執行存儲讀取操作所需的操作電壓。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，根據所述當前工作溫度，通過所述狀態機調整下一次執行存儲讀取操作所需的操作電壓，包括：

調用所述Nand flash存儲器的工作溫度區間與補償操作電壓的關系表，其中，所述Nand flash存儲器工作溫度越高的工作溫度區間對應的補償操作電壓的絕對值越大；

根據所述關系表中與所述當前工作溫度對應的補償操作電壓，通過所述狀態機調整下一次執行存儲讀取操作所需的操作電壓。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，根據所述關系表中與所述當前工作溫度對應的補償操作電壓，通過所述狀態機調整下一次執行存儲讀取操作所需的操作電壓，包括：

根據所述當前工作溫度，從所述Nand flash存儲器的工作溫度區間中確定所述當前工作溫度所屬的目標工作溫度區間；

從所述關系表中查找對應于所述目標工作溫度區間的目標補償操作電壓；

根據所述目標補償操作電壓，通過所述狀態機將下一次執行存儲讀取操作所需的操作電壓調整為目標值，所述目標值的取值為：

所述存儲讀取操作時的預設操作電壓與所述目標補償操作電壓之和。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，根據所述當前工作溫度，通過所述狀態機調整下一次執行存儲讀取操作所需的操作電壓，包括：

確定所述當前工作溫度與預設溫度之間的大小關系；

若所述當前工作溫度不小于所述預設溫度，則通過所述狀態機調整下一次執行存儲讀取操作所需的操作電壓。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，在確定所述當前工作溫度與預設溫度之間的大小關系后，所述方法還包括：

若所述當前工作溫度小于所述預設溫度，則不調整下一次執行存儲讀取操作所需的操作電壓，所述下一次執行存儲讀取操作所需的操作電壓與所述當前次緩存讀取操作對應的存儲讀取操作的操作電壓相等。

6.一種控制讀操作的裝置，其特征在于，所述裝置應用于Nand flash存儲器，所述Nandflash存儲器包括：狀態機、緩存區、存儲單元以及溫度傳感器，所述裝置包括：

接收執行模塊，用于在接收到讀操作指令時，執行所述讀操作指令對應的讀操作，所述讀操作包括：從存儲單元中將數據讀取到緩存區中的存儲讀取操作和從緩存中將數據通過I/O口讀出的緩存讀取操作；

采樣溫度模塊，用于在執行當前次緩存讀取操作期間，通過溫度傳感器采樣所述Nandflash存儲器的當前工作溫度；

調整執行模塊，用于根據所述當前工作溫度，通過所述狀態機調整下一次執行存儲讀取操作所需的操作電壓。

7.根據權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述調整執行模塊包括：

調用關系表子模塊，用于調用所述Nand flash存儲器的工作溫度區間與補償操作電壓的關系表，其中，所述Nand flash存儲器工作溫度越高的工作溫度區間對應的補償操作電壓的絕對值越大；

調整執行子模塊，用于根據所述關系表中與所述當前工作溫度對應的補償操作電壓，通過所述狀態機調整下一次執行存儲讀取操作所需的操作電壓。