[發(fā)明專利]一種N型選擇性發(fā)射極太陽能電池及其制造方法

在審

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• 申請日: 2019-05-13
• 公開（公告）號: CN110098284A
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發(fā)明（設計）人: 陳周;單偉;何勝;周盛永;黃海燕;陸川
• 申請（專利權）人: 浙江正泰太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0216;H01L21/223
• 代理公司: 北京元合聯合知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11653
• 代理人: 李非非;楊興宇

1.一種N型選擇性發(fā)射極太陽能電池的制造方法，該制造方法包括：

提供N型襯底，并在該N型襯底的表面形成絨面結構；

對所述N型襯底的正面進行擴散以形成P++擴散層；

去除所述N型襯底非電極區(qū)域內一定厚度的所述P++擴散層，以在所述N型襯底的電極區(qū)域內形成P++摻雜區(qū)以及在所述非電極區(qū)域內形成P+摻雜區(qū)；

在所述N型襯底的背面形成N++摻雜層；

在所述N型襯底的正面從下至上形成鈍化層和第一減反射層、以及在所述N型襯底的背面形成第二減反射層；

在所述N型襯底的正面和背面分別形成正面電極和背面電極，其中，所述正面電極透過所述第一減反射層和所述鈍化層與所述P++摻雜區(qū)形成歐姆接觸，所述背面電極透過所述第二減反射層與所述N++摻雜層形成歐姆接觸。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其中，對所述N型襯底的正面進行擴散以形成P++擴散層包括：

利用P型擴散源對所述N型襯底的正面進行第一擴散，其中，擴散爐中所述P型擴散源的流量為50sccm至80sccm、氧氣流量為150sccm至240sccm、氮氣流量為15slm至20slm、壓力為常壓，所述第一擴散的溫度范圍是890℃至910℃，所述第一擴散的時長范圍是8min至15min；

按照預定的升溫速率將所述擴散爐中的溫度升高至第二擴散的溫度，其中，所述擴散爐中的氮氣流量為15slm至20slm、壓力為常壓，所述第二擴散的溫度范圍是920℃至950℃；

利用P型擴散源對所述N型襯底的正面進行所述第二擴散，其中，擴散爐中所述P型擴散源的流量為50sccm至80sccm、氧氣流量為200sccm至300sccm、氮氣流量為15slm至20slm、壓力為常壓，所述第二擴散的時長范圍是20min至30min；

按照預定的降溫速率將所述擴散爐中的溫度減低至出舟操作的溫度、并對所述N型襯底進行推進操作以在所述N型襯底的正面形成P++擴散層，其中，所述擴散爐中的氧氣流量為1slm至2slm、氮氣流量為15slm至18slm、壓力為常壓，所述出舟操作的溫度范圍是780℃至800℃，所述推進操作的時長范圍是40min至60min。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其中，去除所述N型襯底非電極區(qū)域內一定厚度的所述P++擴散層、以在所述N型襯底的電極區(qū)域內形成P++摻雜區(qū)以及在所述非電極區(qū)域內形成P+摻雜區(qū)包括：

利用絲網印刷的方式在所述N型襯底的電極區(qū)域內印刷保護性漿料；

利用腐蝕溶液對所述非電極區(qū)域內的所述P++擴散層進行刻蝕，刻蝕過程中測量刻蝕區(qū)域的方阻直至其滿足預定值時停止刻蝕，以在所述N型襯底的所述非電極區(qū)域內形成P+摻雜區(qū)以及在所述N型襯底的所述電極區(qū)域內形成P++摻雜區(qū)；

去除所述保護性漿料層。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的制造方法，其中，所述P++摻雜區(qū)的結深范圍是0.6μm至0.8μm。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的制造方法，其中，所述P++摻雜區(qū)的方塊電阻的范圍是30Ω/□至50Ω/□，所述P+區(qū)的方塊電阻的范圍是110Ω/□至150Ω/□。

6.根據權利要求1至3中任一項所述的制造方法，其中，所述P++摻雜區(qū)的圖形寬度范圍是150μm至250μm。

7.根據權利要求3所述的制造方法，其中，所述腐蝕溶液包括氫氟酸、硝酸和水，其中，所述氫氟酸、所述硝酸、所述水三者的體積比是5:1:20。

8.根據權利要求1所述的制造方法，其中，所述N++摻雜層的方塊電阻的范圍是50Ω/□至70Ω/□。

9.根據權利要求1所述的制造方法，其中：

所述鈍化層的材料是氧化鋁，所述鈍化層的厚度是6nm至20nm。