[發明專利]一種微電極及其形成方法

在審

• 申請號: 201910389541.0
• 申請日: 2019-05-10
• 公開（公告）號: CN110104609A
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 李俊杰;王文武;吳立冬;李永亮;張青竹;殷華湘;楊濤;傅劍宇;李俊峰
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: B82B3/00
• 分類號: B82B3/00;B82B1/00;H01B5/14;H01B13/00;B82Y5/00;B82Y10/00;B82Y15/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種微電極的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

提供襯底，所述襯底上形成有圖案化的掩膜層；

以所述掩膜層為掩蔽，對所述襯底進行刻蝕，形成所述襯底上的間隔墻，所述間隔墻在底部的寬度大于頂部的寬度；

在所述襯底上形成絕緣層，去除所述間隔墻形成溝槽；

在所述絕緣層上形成電極層，所述溝槽將所述電極層隔開。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底上的圖案化的掩膜層可以通過以下方式得到：

在所述襯底上形成犧牲層，所述犧牲層的形狀根據目標電極的形狀確定；

在所述犧牲層的側壁形成掩膜層；

去除所述犧牲層。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述犧牲層的側壁形成掩膜層，包括：

沉積掩膜材料層；

去除所述襯底上表面以及所述犧牲層上表面的掩膜材料層，保留所述犧牲層側壁上的掩膜材料層作為掩膜層。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述襯底和所述犧牲層之間還形成有阻擋層，所述以所述掩膜層為掩蔽，對所述襯底進行刻蝕，包括：

以所述掩膜層和所述阻擋層為掩蔽，對所述襯底進行刻蝕。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述阻擋層通過以下方式形成：沉積阻擋材料層，以所述掩膜層為掩蔽，對所述阻擋材料層進行刻蝕，得到阻擋層。

6.根據權利要求1-5任意一項所述的方法，其特征在于，所述去除所述間隔墻形成溝槽，包括：

去除所述間隔墻以及所述間隔墻下的部分襯底，形成溝槽，所述溝槽在底部的寬度大于頂部的寬度。

7.根據權利要求1-5任意一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述溝槽中形成填充層。

8.一種微電極，其特征在于，所述微電極包括：

襯底；

所述襯底上的絕緣層，以及分隔所述絕緣層的溝槽；所述溝槽在底部的寬度大于頂部的寬度；

在所述絕緣層上的電極層，所述溝槽將所述電極層隔開。

9.根據權利要求8所述的微電極，其特征在于，所述溝槽貫穿所述絕緣層和部分所述襯底。

10.根據權利要求8或9所述的微電極，其特征在于，所述溝槽中形成有填充層。