[發(fā)明專利]多層陶瓷電子組件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910387480.4
• 申請(qǐng)日: 2019-05-10
• 公開（公告）號(hào): CN111180206B
• 公開（公告）日: 2023-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田娥凜;柳惠沅;田鎬仁;安惜根;劉智慧;鄭基錫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01G4/12
• 分類號(hào): H01G4/12;H01G4/30
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 武慧南;包國菊

本發(fā)明提供一種多層陶瓷電子組件，所述多層陶瓷電子組件包括：陶瓷主體，所述陶瓷主體包括介電層和交替地層疊并暴露于所述陶瓷主體的第一外表面和第二外表面的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，并且相應(yīng)的介電層設(shè)置在所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極之間；以及第一外電極和第二外電極，分別設(shè)置在所述陶瓷主體的所述第一外表面和所述第二外表面上并連接到所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極之中的相應(yīng)的內(nèi)電極。所述介電層包括設(shè)置在所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極之間的厚度為3.5微米或更大至3.7微米或更小的部分。

本申請(qǐng)要求于2018年11月13日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2018-0139145號(hào)韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，所述韓國專利申請(qǐng)的公開內(nèi)容通過引用被全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種多層陶瓷電子組件。

背景技術(shù)

多層陶瓷電子組件由于其諸如緊湊性、確保高電容和易于安裝的優(yōu)點(diǎn)而被廣泛用作計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、移動(dòng)電話等中的信息技術(shù)(IT)組件。此外，這樣的多層陶瓷電子組件由于其高可靠性和高強(qiáng)度特性而被廣泛用作電氣組件。

近來，多層陶瓷電子組件的每單位厚度的堆疊數(shù)被增加以確保高電容。

因此，已經(jīng)研究了用于減薄和微粒化介電層的技術(shù)。

然而，多層陶瓷電子組件由于介電層的薄化和微粒化而變得易被介電擊穿。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的一方面在于提供一種相對(duì)顯著地抑制介電擊穿而不顯著增加介電層的厚度的多層陶瓷電子組件。

根據(jù)本公開的一方面，一種多層陶瓷電子組件包括：陶瓷主體，包括介電層以及交替地層疊并暴露于所述陶瓷主體的第一外表面和第二外表面的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，并且相應(yīng)的介電層設(shè)置在所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極之間；以及第一外電極和第二外電極，分別設(shè)置在所述陶瓷主體的所述第一外表面和所述第二外表面上并連接到所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極中的相應(yīng)內(nèi)電極。所述介電層包括設(shè)置在所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極之間的厚度為3.5微米或更大至3.7微米或更小的部分。

根據(jù)本公開的一個(gè)方面，一種多層陶瓷電子組件包括：陶瓷主體，包括介電層和交替地層疊并暴露于所述陶瓷主體的第一外表面和第二外表面的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，并且相應(yīng)的介電層設(shè)置在所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極之間；以及第一外電極和第二外電極，分別設(shè)置在所述陶瓷主體的所述第一外表面和所述第二外表面上并分別連接到所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極中的相應(yīng)內(nèi)電極。基于所述陶瓷主體的中心的厚度方向軸線，所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極之間在厚度方向上的距離為3.5微米或更大至3.7微米或更小。

附圖說明

通過以下結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本公開的以上和其他方面、特征和優(yōu)點(diǎn)將被更清楚地理解，在附圖中：

圖1是示出根據(jù)本公開中的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件及其安裝形式的透視圖；

圖2是示出根據(jù)本公開中的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件的內(nèi)電極的形狀的透視圖；

圖3A是根據(jù)本公開中的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件的內(nèi)電極和介電層的放大側(cè)視圖；

圖3B是示出多層陶瓷電子組件的介電擊穿的側(cè)視圖；

圖4是示出根據(jù)介電層的厚度的高加速壽命試驗(yàn)的結(jié)果的曲線圖；

圖5A是當(dāng)沿長(zhǎng)度方向觀察根據(jù)本公開中的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件時(shí)的截面圖；以及

圖5B是根據(jù)本公開中的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件的第二介電層的截面圖，并且是圖5A中的區(qū)域P的放大圖。

具體實(shí)施方式