[發(fā)明專利]多層陶瓷電子組件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910387480.4
• 申請日: 2019-05-10
• 公開（公告）號: CN111180206B
• 公開（公告）日: 2023-07-21
• 發(fā)明（設計）人: 田娥凜;柳惠沅;田鎬仁;安惜根;劉智慧;鄭基錫
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;H01G4/30
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 武慧南;包國菊

1.一種多層陶瓷電子組件，包括：

陶瓷主體，包括介電層以及交替地層疊并暴露于所述陶瓷主體的第一外表面和第二外表面的第一內電極和第二內電極，并且相應的介電層設置在所述第一內電極和所述第二內電極之間；

第一外電極和第二外電極，分別設置在所述陶瓷主體的所述第一外表面和所述第二外表面上并分別連接到所述第一內電極和所述第二內電極中的相應內電極；以及

設置在所述陶瓷主體的在寬度方向上的側邊緣部分中的臺階吸收構件，

其中，所述介電層包括設置在所述第一內電極和所述第二內電極之間的厚度為3.5微米或更大至3.7微米或更小的部分，并且

其中，每對彼此相鄰的第一內電極和第二內電極在寬度方向上的各自的邊緣上以相反的方向彎曲，且與同一個臺階吸收構件相鄰的一對彼此相鄰的第一內電極和第二內電極朝彼此遠離的方向彎曲，不與同一個臺階吸收構件相鄰的一對彼此相鄰的第一內電極和第二內電極朝彼此接近的方向彎曲。

2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述陶瓷主體還包括設置在所述第一內電極和所述第二內電極中的在層疊方向上的最上面的內電極的頂表面上或所述第一內電極和所述第二內電極中的在層疊方向上的最下面的內電極的底表面上的覆蓋層，并且

所述覆蓋層的厚度大于設置在所述第一內電極和所述第二內電極之間的所述部分的厚度。

3.根據權利要求2所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述介電層的設置在所述第一內電極和所述第二內電極之間的所述部分的厚度等于或大于所述第一內電極和所述第二內電極中的每個的厚度的兩倍。

4.根據權利要求3所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述第一內電極和所述第二內電極的各自的厚度的平均值大于0微米至小于1.0微米。

5.一種多層陶瓷電子組件，包括：

陶瓷主體，包括介電層以及交替地層疊并暴露于所述陶瓷主體的第一外表面和第二外表面的第一內電極和第二內電極，并且相應的介電層設置在所述第一內電極和所述第二內電極之間；

第一外電極和第二外電極，分別設置在所述陶瓷主體的所述第一外表面和所述第二外表面上并分別連接到所述第一內電極和所述第二內電極中的相應內電極；以及

設置在所述陶瓷主體的在寬度方向上的側邊緣部分中的臺階吸收構件，

其中，基于所述陶瓷主體的中心的厚度方向軸線，所述第一內電極和所述第二內電極之間在厚度方向上的距離為3.5微米或更大至3.7微米或更小，并且

其中，每對彼此相鄰的所述第一內電極和所述第二內電極在寬度方向上的各自的邊緣上以相反的方向彎曲，且與同一個臺階吸收構件相鄰的一對彼此相鄰的第一內電極和第二內電極朝彼此遠離的方向彎曲，不與同一個臺階吸收構件相鄰的一對彼此相鄰的第一內電極和第二內電極朝彼此接近的方向彎曲。

6.根據權利要求5所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述第一內電極和所述第二內電極之間設置有兩個或更多個所述介電層。

7.根據權利要求5所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述第一內電極和所述第二內電極在所述寬度方向上的各自的邊緣上以角度θ彎曲。

8.根據權利要求7所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述第一內電極和所述第二內電極之間在所述寬度方向上的邊緣上具有距離tb，并且tb大于所述介電層的厚度。