[發(fā)明專利]傳感器封裝件及制造傳感器封裝件的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910383856.4
• 申請(qǐng)日: 2019-05-09
• 公開（公告）號(hào): CN110473840B
• 公開（公告）日: 2022-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 伊格納修斯·約瑟夫斯·范多梅倫;約翰尼斯·馬賽厄斯·尼古拉阿斯·普雷米克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 森西歐有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204
• 代理人: 王達(dá)佐;王艷春

1.傳感器封裝件，所述傳感器封裝件包括：

傳感器載體，具有傳感器元件；

預(yù)成型托盤部，具有外露腔，具有所述傳感器元件的所述傳感器載體在所述預(yù)成型托盤部的凹口中定位成延伸到所述外露腔中，

引線框，布置成提供所述傳感器封裝件的外部連接，

二次成型封裝部，布置在所述引線框和所述預(yù)成型托盤部周圍并且具有與所述外露腔對(duì)準(zhǔn)的孔，

其中，所述預(yù)成型托盤部的所述凹口包括至少一個(gè)阻擋件，所述阻擋件布置成向內(nèi)延伸到所述凹口中以將所述傳感器載體保持在所述凹口中并確保所述傳感器載體與所述凹口之間存在空隙。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器封裝件，其中，所述至少一個(gè)阻擋件具有至少1μm的延伸高度(h)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器封裝件，其中，所述預(yù)成型托盤部的所述凹口包括一個(gè)或多個(gè)墊片。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器封裝件，其中，所述預(yù)成型托盤部的所述凹口還包括擴(kuò)展空間，所述擴(kuò)展空間布置成相對(duì)于所述至少一個(gè)阻擋件鄰近所述外露腔。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器封裝件，其中，所述傳感器載體在所述傳感器載體的側(cè)壁處設(shè)置有缺口。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器封裝件，其中，所述凹口和所述傳感器載體包括全等的傾斜壁。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器封裝件，其中，所述孔的截面積大于所述外露腔的截面積。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器封裝件，還包括定位在所述預(yù)成型托盤部的所述外露腔的底部上的傳感器支承元件。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器封裝件，還包括定位在所述引線框上的集成電路和位于所述集成電路與所述傳感器載體之間的電連接件，其中，所述集成電路和所述電連接件由所述二次成型封裝部覆蓋。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器封裝件，其中，所述預(yù)成型托盤部的成型化合物包括尺寸小于所述二次成型封裝部的成型化合物的填充材料的尺寸的填充材料。

11.制造傳感器封裝件的方法，所述方法包括：

設(shè)置引線框；

形成具有外露腔和凹口的預(yù)成型托盤部，其中所述預(yù)成型托盤部的所述凹口包括至少一個(gè)阻擋件，所述阻擋件布置成向內(nèi)延伸到所述凹口中；

在所述預(yù)成型托盤部的所述凹口中將具有傳感器元件的傳感器載體定位成延伸到所述外露腔中并且通過所述阻擋件確保所述傳感器載體與所述凹口之間存在空隙；

通過在所述引線框和所述預(yù)成型托盤部周圍施加二次成型材料并設(shè)置與所述外露腔對(duì)準(zhǔn)的孔來形成二次成型封裝部。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述預(yù)成型托盤部是使用第一成型化合物形成的，且所述二次成型封裝部是使用第二成型化合物形成的。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第二成型化合物包括尺寸大于所述第一成型化合物的填充材料的尺寸的填充材料。