[發(fā)明專利]顯示基板及其制備方法和顯示面板

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201910379276.8
• 申請日: 2019-05-08
• 公開（公告）號: CN111490071A
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳亞文;史文
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 侯武嬌;周昭

本發(fā)明涉及一種顯示基板及其制備方法和顯示面板，顯示基板包括襯底、像素電極及像素限定層，像素電極設(shè)于襯底上，像素限定層包括第一子限定層、防堆積層和第二子限定層，第一子限定層設(shè)于襯底上，防堆積層設(shè)于第一子限定層上，第二子限定層設(shè)于防堆積層上；像素限定層開設(shè)有像素坑，像素坑貫穿第一子限定層、防堆積層和第二子限定層以暴露像素電極的至少部分區(qū)域；像素坑的側(cè)壁對應(yīng)防堆積層的位置設(shè)有防堆積凹槽。該顯示基板可利用液體的滲析作用，避免墨水在沉積干燥過程中出現(xiàn)邊緣堆積，從而提高了像素的膜厚均勻性，同時不會影響開口率，提高了發(fā)光均勻性以及最終的顯示效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種顯示基板及其制備方法和顯示面板。

背景技術(shù)

在信息社會的當代，作為可視信息傳輸媒介的顯示器的重要性進一步加強。為了在未來占據(jù)主導(dǎo)地位，顯示器正朝著更輕、更薄、更低能耗、更低成本以及更好圖像質(zhì)量的趨勢發(fā)展。例如有機電致發(fā)光二極管(OLED)由于其具有自發(fā)光、反應(yīng)快、視角廣、亮度高、輕薄等優(yōu)點，量子點發(fā)光二極管(QLED)由于其具有光色純度高、發(fā)光量子效率高、發(fā)光顏色易調(diào)等優(yōu)點，成為了目前顯示領(lǐng)域發(fā)展的兩個主要方向。而采用溶液加工制備OLED、QLED等顯示器，由于具有低成本、高產(chǎn)能、易于實現(xiàn)大尺寸等優(yōu)點，是未來顯示技術(shù)發(fā)展的重要方向，特別是印刷工藝。

在印刷工藝中，通常打印完功能層后需要經(jīng)過一步真空干燥即VCD工藝，使墨水中的溶劑快速揮發(fā)干燥，初步形成較為平整的薄膜形貌，后續(xù)再通過一步高溫退火來形成致密的薄膜。然而，傳統(tǒng)的顯示基板結(jié)構(gòu)在墨水沉積及VCD干燥過程中通常會導(dǎo)致墨水在像素坑邊緣堆積，導(dǎo)致整個像素膜厚不均，邊緣過厚，中間過薄，進而導(dǎo)致點亮后發(fā)光均勻性不佳，影響了最終的顯示效果。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種可提升發(fā)光均勻性的顯示基板。

一種顯示基板，包括襯底、像素電極及像素限定層，所述像素電極設(shè)于所述襯底上，所述像素限定層包括第一子限定層、防堆積層和第二子限定層，所述第一子限定層設(shè)于所述襯底上，所述防堆積層設(shè)于所述第一子限定層上，所述第二子限定層設(shè)于所述防堆積層上；所述像素限定層開設(shè)有像素坑，所述像素坑貫穿所述第一子限定層、所述防堆積層和所述第二子限定層以暴露所述像素電極的至少部分區(qū)域；所述像素坑的側(cè)壁對應(yīng)所述防堆積層的位置設(shè)有防堆積凹槽。

在其中一個實施例中，所述防堆積凹槽以所述第一子限定層和所述第二子限定層中的至少之一為側(cè)壁，以所述防堆積層為底壁。

在其中一個實施例中，所述防堆積層呈親液性；或者，所述防堆積層的材質(zhì)為金屬。

在其中一個實施例中，所述防堆積層的材質(zhì)為鋁和銀中的至少一種。

在其中一個實施例中，所述防堆積凹槽的深度為1μm～5μm，所述防堆積層的厚度為100nm～300nm。

在其中一個實施例中，所述第一子限定層呈親液性，所述第二子限定層呈疏液性。

本發(fā)明還提供了一種顯示基板的制備方法，包括以下步驟：

在具有像素電極的襯底上形成第一子限定層；

在所述第一子限定層和所述像素電極上形成防堆積膜；

在防堆積膜上形成圖案化的第二子限定層，所述第二子限定層暴露所述像素電極上的所述防堆積膜；

去除所述像素電極上的所述防堆積膜以及所述第二子限定層下的部分所述防堆積膜，形成圖案化的防堆積層，并在對應(yīng)所述防堆積層的位置形成防堆積凹槽。

在其中一個實施例中，所述去除所述像素電極上的所述防堆積膜以及所述第二子限定層下的部分所述防堆積膜，形成圖案化的防堆積層的步驟采用濕法蝕刻工藝。