[發(fā)明專利]顯示基板及其制備方法和顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910379276.8 | 申請日: | 2019-05-08 |
| 公開(公告)號: | CN111490071A | 公開(公告)日: | 2020-08-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳亞文;史文 | 申請(專利權)人: | 廣東聚華印刷顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 侯武嬌;周昭 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市廣州*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 面板 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,包括襯底、像素電極及像素限定層,所述像素電極設于所述襯底上,所述像素限定層包括第一子限定層、防堆積層和第二子限定層,所述第一子限定層設于所述襯底上,所述防堆積層設于所述第一子限定層上,所述第二子限定層設于所述防堆積層上;所述像素限定層開設有像素坑,所述像素坑貫穿所述第一子限定層、所述防堆積層和所述第二子限定層以暴露所述像素電極的至少部分區(qū)域;所述像素坑的側壁對應所述防堆積層的位置設有防堆積凹槽。
2.根據(jù)權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述防堆積凹槽以所述第一子限定層和所述第二子限定層中的至少之一為側壁,以所述防堆積層為底壁。
3.根據(jù)權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述防堆積層呈親液性;或者,所述防堆積層的材質(zhì)為金屬。
4.根據(jù)權利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述防堆積層的材質(zhì)為鋁和銀中的至少一種。
5.根據(jù)權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述防堆積凹槽的深度為1μm~5μm,所述防堆積層的厚度為100nm~300nm。
6.根據(jù)權利要求1~5任一項所述的顯示基板,其特征在于,所述第一子限定層呈親液性,所述第二子限定層呈疏液性。
7.一種顯示基板的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
在具有像素電極的襯底上形成第一子限定層;
在所述第一子限定層和所述像素電極上形成防堆積膜;
在防堆積膜上形成圖案化的第二子限定層,所述第二子限定層暴露所述像素電極上的所述防堆積膜;
去除所述像素電極上的所述防堆積膜以及所述第二子限定層下的部分所述防堆積膜,形成圖案化的防堆積層,并在對應所述防堆積層的位置形成防堆積凹槽。
8.根據(jù)權利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述去除所述像素電極上的所述防堆積膜以及所述第二子限定層下的部分所述防堆積膜,形成圖案化的防堆積層的步驟采用濕法蝕刻工藝。
9.根據(jù)權利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述防堆積膜的材質(zhì)為金屬,采用磁控濺射法在所述第一子限定層和所述像素電極上形成所述防堆積膜。
10.一種顯示面板,其特征在于,包括權利要求1~6任一項所述的顯示基板或權利要求7~9任一項所述的制備方法制備得到的顯示基板。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





