[發明專利]一種直寫光刻機構及其曝光方法

在審

• 申請號: 201910379065.4
• 申請日: 2019-05-08
• 公開（公告）號: CN110187607A
• 公開（公告）日: 2019-08-30
• 發明（設計）人: 李偉成;張雷
• 申請（專利權）人: 蘇州源卓光電科技有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種直寫光刻機構及其曝光方法，其包括光源模組、曝光系統和放置待曝光基板的基板平臺，曝光模組將光源模組的光線投影到所述基板上，其還包括至少一個升溫裝置，所述升溫裝置包括熱源，所述熱源投射熱能量至所述基板，使得所述基板的溫度升高。通過上述升溫裝置的使用，使得所述基板在進行曝光的過程中提前預升溫，或者在曝光的過程中進行升溫處理，或者曝光完成后進行升溫處理，提高了光聚合反應的效率，縮短了光聚合反應的時間，進而縮短了光刻機的曝光時間，提高了光刻機的效率。

技術領域：

本發明涉及光刻技術領域，尤其涉及一種直寫光刻機構及其曝光方法。

背景技術：

光刻技術廣泛應用于半導體和PCB生產領域，是制作半導體器件、芯片和PCB板等產品的工藝步驟之一，其用于在基底表面上印刷特征圖形，最終獲得依據電路設計所需的圖形結構。傳統的光刻技術需要制作掩膜的母版或者菲林底片進行曝光操作，制作周期長，且每一版對應單一圖形，不能廣泛應用。為解決傳統光刻技術的問題，直寫光刻機構應運而生，其利用數字光處理技術，通過可編程的數字反射鏡裝置實現編輯不同的所需的圖形結構，能夠快速切換圖形，其不僅可以降低成本，還可以減少制程的時間，正廣泛應用于光刻技術領域。

光刻的原理是通過曝光的方法將掩膜圖像轉移到涂覆于基底表面的光刻膠上，然后通過顯影、刻蝕等工藝，最終獲得所需的圖形結構。光刻膠是光刻工藝中的關鍵材料之一，常用的光刻膠包括油墨、防焊油墨等，也可分為干膜、濕膜等多種材料，其通過光照后形成相對于某些溶劑的可溶物或者不可溶物，通過刻蝕去除或者保留所述光刻膠，形成所需的圖形結構。在光刻工藝中，一般包括清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。對準曝光的過程中，所述光刻機的曝光時間受限于所述光刻膠的感光特性，曝光時間難以減少，降低了設備的效率。

發明內容：

針對上述問題，本發明要解決的技術問題是提供一種減少曝光時間提高設備利用率的直寫光刻機構及其方法。

本發明的一種直寫光刻機構，其包括光源模組、曝光系統和放置待曝光基板的基板平臺，曝光模組將光源模組的光線投影到所述基板上，其特征在于：其還包括至少一個升溫裝置，所述升溫裝置包括熱源，所述熱源投射熱能量至所述基板，使得所述基板的溫度升高。

進一步的，所述熱源為投射光源。

進一步的，所述投射光源為紅外線光源。

進一步的，所述投射光源的光線通過曝光系統投射至所述基板。

進一步的，所述投射光源的光線通過光源系統和曝光系統投射至所述基板。

進一步的，所述升溫裝置包括微反射鏡陣列，所述投射光源的光線通過所述微反射鏡反射至所述基板。

進一步的，所述熱源投射的區域為所述放置于所述基板平臺上的基板即將要進行曝光的區域，或者正在進行曝光的區域，或者曝光完成的區域，或者上述區域的任意兩個區域，或者同時包含上述三個區域。

進一步的，所述熱源投射的區域可以與所述投影鏡頭一次曝光投影的區域重合，或者所述熱源投射的區域的面積是所述投影鏡頭一次曝光投影區域面積的整數倍。

進一步的，所述升溫裝置還包括控制器，所述控制器控制所述熱源的功率和投射區域。

進一步的，所述熱源包含多個單元熱源。

進一步的，所述單元熱源的投射區域的組合為所述熱源的投射區域。

進一步的，所述單元熱源的投射區域與所述熱源的投射區域相同。