[發(fā)明專利]射頻加熱設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910375902.6
• 申請(qǐng)日: 2019-05-07
• 公開（公告）號(hào): CN111918432B
• 公開（公告）日: 2023-02-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張力瀟;沈兵;俞國新;丁劍波;潘自杰;葉世超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 青島海爾智能技術(shù)研發(fā)有限公司;青島海爾股份有限公司
• 主分類號(hào): H05B6/00
• 分類號(hào): H05B6/00
• 代理公司: 北京康盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11331
• 代理人: 張宇峰;張進(jìn)興

1.一種射頻加熱設(shè)備，其特征在于，包括：

天線，被配置為將射頻輻射入加熱腔內(nèi)；和，

極板，被配置為將射頻饋入所述加熱腔內(nèi)；

其中，所述極板上設(shè)置有一個(gè)以上的饋入點(diǎn)，所述射頻通過所述極板的饋入點(diǎn)饋入所述加熱腔內(nèi)，在平行設(shè)置的兩個(gè)極板之間形成交變電磁場，或者在所述極板和所述加熱腔之間形成交變電磁場。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，還包括：

第一射頻源組，與所述天線連接，被配置為發(fā)射頻率為第一頻率的射頻；和，

第二射頻源組，與所述極板連接，被配置為發(fā)射頻率為第二頻率的射頻。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述天線與所述第一射頻源組中第一射頻源的數(shù)量相同；

每個(gè)所述天線與對(duì)應(yīng)的一個(gè)所述第一射頻源連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述極板的數(shù)量大于或等于所述第二射頻源組中第二射頻源的數(shù)量；

一個(gè)或一個(gè)以上的所述極板與所述第二射頻源連接，且每個(gè)所述極板與對(duì)應(yīng)的一個(gè)所述第二射頻源連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求2至4任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一頻率與所述第二頻率的差值大于設(shè)定頻率。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其特征在于，第一射頻源包括：

第一射頻發(fā)生器，被配置為生成頻率為所述第一頻率的第一初始信號(hào)；和，

第一功率放大器，被配置為對(duì)所述第一初始信號(hào)的功率進(jìn)行放大，以得到第一頻率的射頻。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一射頻源還包括：

第一入射功率檢測單元，被配置為檢測所述天線輻射入所述加熱腔內(nèi)的射頻功率；

第一反射功率檢測單元，被配置為檢測經(jīng)所述加熱腔反射后的射頻功率；和，

第一調(diào)節(jié)單元，被配置為根據(jù)所述第一入射功率檢測單元檢測到的入射功率與所述第一反射功率檢測單元檢測到的反射功率調(diào)節(jié)所述第一功率放大器的放大倍數(shù)。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其特征在于，第二射頻源包括：

第二射頻發(fā)生器，被配置為生成頻率為所述第二頻率的第二初始信號(hào)；和，

第二功率放大器，被配置為對(duì)所述第二初始信號(hào)的功率進(jìn)行放大，以得到第二頻率的射頻。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其特征在于，所述第二射頻源還包括：

第二入射功率檢測單元，被配置為檢測所述天線輻射入所述加熱腔內(nèi)的射頻功率；

第二反射功率檢測單元，被配置為檢測經(jīng)所述加熱腔反射后的射頻功率；和，

第二調(diào)節(jié)單元，被配置為根據(jù)所述第二入射功率檢測單元檢測到的入射功率與所述第二反射功率檢測單元檢測到的反射功率調(diào)節(jié)所述第二功率放大器的放大倍數(shù)。

10.根據(jù)權(quán)利要求6至9任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，還包括：濾波器，被配置為根據(jù)所述設(shè)定頻率調(diào)節(jié)所述第一射頻源和所述第二射頻源發(fā)射的初始信號(hào)的頻率。