[發(fā)明專(zhuān)利]一種晶圓處理方法及裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910371415.2
• 申請(qǐng)日: 2019-05-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110064984A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 西安奕斯偉硅片技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): B24B9/06
• 分類(lèi)號(hào): B24B9/06;H01L21/304
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

本發(fā)明提供一種晶圓處理方法及裝置，在晶圓處理方法中，在對(duì)晶圓進(jìn)行邊緣拋光之前，在所述晶圓的表面形成氧化膜。根據(jù)本發(fā)明的晶圓處理方法，在對(duì)晶圓進(jìn)行邊緣拋光之前，在晶圓的表面形成氧化膜，通過(guò)在晶圓的表面形成氧化膜能夠在邊緣拋光過(guò)程中保護(hù)晶圓的表面，防止晶圓表面形成表面缺陷，提高晶圓的拋光品質(zhì)，提高生產(chǎn)良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及晶圓制造領(lǐng)域，特別涉及一種晶圓處理方法及裝置。

背景技術(shù)

在晶圓加工過(guò)程中，傳統(tǒng)的300mm晶圓切片制造工程以如下順序進(jìn)行：邊緣拋光→邊緣拋光清洗→DSP(雙面拋光)→DSP清洗→最終拋光，上述工藝順序定義為工藝I。但隨著半導(dǎo)體工程設(shè)計(jì)規(guī)則的細(xì)化，客戶(hù)對(duì)邊緣部位的要求日益苛刻，因此，就當(dāng)前技術(shù)傾向而言，300mm晶圓切片制造工程以如下順序進(jìn)行：DSP→DSP清洗→邊緣拋光→邊緣拋光清洗→最終拋光，上述工藝順序定義為工藝II，通過(guò)上述工藝能夠在邊緣拋光工程中容易地去除因在DSP工程中晶圓邊緣面與DSP載體的接觸而可能發(fā)生的邊緣部位的缺陷。

在工藝II中，由于晶圓的正面?zhèn)让嬖贒SP工程之后利用最終拋光裝備進(jìn)行最終拋光，能夠去除DSP及邊緣拋光工程中可能發(fā)生的晶圓表面缺陷；相反，晶圓的背面?zhèn)仍贒SP工程之后沒(méi)有額外的追加加工工程，因此，除了特殊情況外，晶圓背面?zhèn)让娴淖罱K品質(zhì)(粒子及表面粗糙度)大部分將在DSP工程中決定。因此，在設(shè)計(jì)晶圓切片工藝時(shí)，邊緣拋光工程采用晶圓的正面?zhèn)让媾c吸盤(pán)墊直接接觸的方式來(lái)研磨邊緣部位，能夠在最終拋光工程中充分去除此時(shí)可能發(fā)生的晶圓正面?zhèn)让嫒毕荨?/p>

邊緣拋光利用邊緣拋光裝備來(lái)進(jìn)行拋光，分為凹槽拋光部分和邊緣拋光部分進(jìn)而分別進(jìn)行拋光，其中，就邊緣拋光部分而言，在晶圓正面?zhèn)让婧臀P(pán)墊被真空吸附的狀態(tài)下，晶圓在50-900rpm之間進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。如圖1所示，在邊緣拋光墊1與晶圓2邊緣面接觸的狀態(tài)下，從上部供應(yīng)用于邊緣拋光的研磨液而通過(guò)機(jī)械及化學(xué)研磨使晶圓的邊緣面被研磨為硬面。在該過(guò)程中，如圖2至圖4所示，晶圓3的直徑D1為300mm，吸盤(pán)墊4的直徑可以為270mm，晶圓3與吸盤(pán)墊4之間接觸的直徑D2為240mm，在晶圓正面?zhèn)让媾c吸盤(pán)墊的接觸邊界面(晶圓直徑240mm附近)發(fā)生研磨液引起的蝕刻損傷，如圖4所示，晶圓在吸盤(pán)墊上的圓形位置A處易形成缺陷，無(wú)法在邊緣拋光清洗及最終拋光工程被徹底去除，在晶圓表面形成缺陷，導(dǎo)致晶圓的加工品質(zhì)下降，良率降低。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種晶圓處理方法及裝置，用以解決晶圓在邊緣拋光過(guò)程中晶圓表面易形成缺陷，晶圓品質(zhì)下降的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

根據(jù)本發(fā)明第一方面實(shí)施例的晶圓處理方法，在對(duì)晶圓進(jìn)行邊緣拋光之前，在所述晶圓的表面形成氧化膜。

進(jìn)一步地，所述在所述晶圓的表面形成氧化膜包括：

將所述晶圓置于臭氧水溶液或臭氧氣體中氧化形成所述氧化膜。

進(jìn)一步地，所述在所述晶圓的表面形成氧化膜之后，所述方法還包括：對(duì)所述晶圓進(jìn)行干燥。

進(jìn)一步地，所述臭氧水溶液中臭氧的濃度小于等于100ppm，所述氧化膜的厚度小于等于

進(jìn)一步地，所述在所述晶圓的表面形成氧化膜之前，所述方法還包括：通過(guò)清洗液對(duì)所述晶圓進(jìn)行清洗。

進(jìn)一步地，在對(duì)晶圓進(jìn)行邊緣拋光之后，所述方法還包括：通過(guò)HF溶液清洗所述晶圓上的氧化膜。

根據(jù)本發(fā)明第二方面實(shí)施例的晶圓處理裝置，包括：

成膜機(jī)構(gòu)，用于在對(duì)晶圓進(jìn)行邊緣拋光之前，在所述晶圓的表面形成氧化膜。

進(jìn)一步地，所述成膜機(jī)構(gòu)包括：氧化成膜機(jī)構(gòu)，用于將所述晶圓置于臭氧水溶液或臭氧氣體中氧化形成所述氧化膜。