[發(fā)明專利]一種晶圓處理方法及裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910371415.2 | 申請日： | 2019-05-06 |
| 公開（公告）號： | CN110064984A | 公開（公告）日： | 2019-07-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安奕斯偉硅片技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | B24B9/06 | 分類號： | B24B9/06;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人： | 許靜;黃燦 |
| 地址： | 710065 陜西省西安市*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶圓 邊緣拋光 表面形成 氧化膜 種晶 表面缺陷 晶圓表面 拋光品質(zhì) 良率 生產(chǎn) | ||
1.一種晶圓處理方法，其特征在于，在對晶圓進(jìn)行邊緣拋光之前，在所述晶圓的表面形成氧化膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述在所述晶圓的表面形成氧化膜包括：
將所述晶圓置于臭氧水溶液或臭氧氣體中氧化形成所述氧化膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述在所述晶圓的表面形成氧化膜之后，所述方法還包括：對所述晶圓進(jìn)行干燥。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述臭氧水溶液中臭氧的濃度小于等于100ppm，所述氧化膜的厚度小于等于
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述在所述晶圓的表面形成氧化膜之前，所述方法還包括：通過清洗液對所述晶圓進(jìn)行清洗。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓處理方法，其特征在于，在對晶圓進(jìn)行邊緣拋光之后，所述方法還包括：通過HF溶液清洗所述晶圓上的氧化膜。
7.一種晶圓處理裝置，其特征在于，包括：
成膜機(jī)構(gòu)，用于在對晶圓進(jìn)行邊緣拋光之前，在所述晶圓的表面形成氧化膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述成膜機(jī)構(gòu)包括：氧化成膜機(jī)構(gòu)，用于將所述晶圓置于臭氧水溶液或臭氧氣體中氧化形成所述氧化膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述氧化成膜機(jī)構(gòu)包括臭氧供應(yīng)機(jī)構(gòu)，用于供應(yīng)臭氧水溶液或臭氧氣體，且臭氧水溶液中臭氧的含量小于等于100ppm。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓處理裝置，其特征在于，還包括干燥機(jī)構(gòu)，用于在晶圓的表面形成氧化膜之后，對所述晶圓進(jìn)行干燥；
還包括第一清洗機(jī)構(gòu)，用于在晶圓的表面形成氧化膜之前，通過清洗液對所述晶圓進(jìn)行清洗；
還包括第二清洗機(jī)構(gòu)，用于在對晶圓進(jìn)行邊緣拋光之后，通過HF溶液清洗所述晶圓上的氧化膜。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西安奕斯偉硅片技術(shù)有限公司，未經(jīng)西安奕斯偉硅片技術(shù)有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910371415.2/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種建筑施工用地面修整裝置
- 下一篇：一種廚房臺面板的切割磨邊的方法
