[發(fā)明專利]膜形成裝置及膜形成方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910371007.7 | 申請(qǐng)日: | 2019-05-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111349912B | 公開(公告)日: | 2023-07-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 巖永剛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 富士膠片商業(yè)創(chuàng)新有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/50 | 分類號(hào): | C23C16/50;C23C16/455;C23C16/458;C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 楊貝貝;臧建明 |
| 地址: | 日本東京*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 形成 裝置 方法 | ||
一種膜形成裝置及膜形成方法,具備:反應(yīng)容器,在內(nèi)部配置有膜形成對(duì)象部件,且用于利用供給至內(nèi)部的成膜性氣體的激勵(lì)分解而將以成膜性氣體中所包含的元素為構(gòu)成要素的膜堆積于膜形成對(duì)象部件上,具有:能夠激勵(lì)分解成膜性氣體的反應(yīng)活性區(qū)域和作為與反應(yīng)活性區(qū)域連續(xù)的區(qū)域的反應(yīng)惰性區(qū)域;成膜性氣體供給裝置,向反應(yīng)惰性區(qū)域供給成膜性氣體;激勵(lì)裝置,對(duì)成膜性氣體進(jìn)行激勵(lì)分解;保持裝置,具有:保持部件,保持膜形成對(duì)象部件;及驅(qū)動(dòng)部,在反應(yīng)惰性區(qū)域與反應(yīng)活性區(qū)域之間驅(qū)動(dòng)保持部件;及排氣部件,設(shè)置于反應(yīng)容器內(nèi),排出反應(yīng)容器內(nèi)的氣體,且排出已通過(guò)由保持部件保持的狀態(tài)的膜形成對(duì)象部件的內(nèi)部及側(cè)面的至少一方的反應(yīng)容器內(nèi)的氣體。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種膜形成裝置及膜形成方法。
背景技術(shù)
以往已知有利用供給至內(nèi)部的成膜性氣體的激勵(lì)分解而將以成膜性氣體中所包含的元素為構(gòu)成要素的膜堆積于膜形成對(duì)象部件上的膜形成裝置及膜形成方法。
作為其例示,例如有等離子體CVD(Plasma-enhanced?Chemical?VaporDeposition(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積))。在等離子體CVD中,利用低溫等離子體進(jìn)行成膜性氣體的激勵(lì)/分解,因此能夠在低溫下生成無(wú)機(jī)膜。由此,即使膜形成對(duì)象部件并非為如樹脂部件那樣能夠承受300度那樣的高溫的部件,也能夠形成無(wú)機(jī)膜。
例如,專利文獻(xiàn)1中公開有“一種薄膜形成裝置及薄膜形成方法,所述薄膜形成裝置利用供給至反應(yīng)容器內(nèi)的原料氣體的激勵(lì)分解而將以該原料氣體中所包含的元素為構(gòu)成要素的膜堆積于薄膜形成對(duì)象部件上,所述薄膜形成裝置具備:激勵(lì)單元,對(duì)所述原料氣體進(jìn)行激勵(lì)分解;原料氣體供給單元,向利用所述反應(yīng)器內(nèi)的所述激勵(lì)單元能夠激勵(lì)分解所述原料氣體的反應(yīng)活性區(qū)域以外的反應(yīng)惰性區(qū)域供給所述原料氣體,且朝向所述反應(yīng)活性區(qū)域以外的方向供給所述原料氣體;及驅(qū)動(dòng)單元,使所述薄膜形成對(duì)象部件在所述反應(yīng)惰性區(qū)域與所述反應(yīng)活性區(qū)域之間反復(fù)移動(dòng),所述反應(yīng)活性區(qū)域與所述反應(yīng)惰性區(qū)域?yàn)檫B續(xù)的區(qū)域,所述反應(yīng)容器包含遮蔽所述反應(yīng)活性區(qū)域與所述反應(yīng)惰性區(qū)域的邊界的至少一部分的遮蔽部件而構(gòu)成,由所述原料氣體供給單元供給的原料氣體經(jīng)由所述反應(yīng)惰性區(qū)域供給至所述反應(yīng)活性區(qū)域。”。
并且,專利文獻(xiàn)2中公開有“一種覆膜形成裝置及覆膜形成方法,所述覆膜形成裝置的特征在于,具備:真空腔室,設(shè)置有復(fù)雜立體形狀基材;復(fù)數(shù)個(gè)成膜性氣體供給噴嘴,配置于該腔室內(nèi),用于從復(fù)數(shù)個(gè)方向向所述基材的周圍供給成膜性氣體;復(fù)數(shù)個(gè)排氣口,與所述復(fù)數(shù)個(gè)噴嘴對(duì)置并在所述腔室壁部開孔;使成膜性氣體從所述噴嘴的供給和從與正在供給成膜性氣體中的噴嘴對(duì)置的所述排氣口的排氣聯(lián)動(dòng)的單元;及在所述腔室內(nèi)產(chǎn)生等離子體的單元。”。
專利文獻(xiàn)1:日本專利5055845號(hào)說(shuō)明書
專利文獻(xiàn)2:日本專利2761431號(hào)說(shuō)明書
在現(xiàn)有的膜形成裝置中,排出反應(yīng)容器內(nèi)的氣體的排氣管的排氣口設(shè)置于反應(yīng)容器的外墻。
因此,在能夠與反應(yīng)活性區(qū)域側(cè)對(duì)置的膜形成對(duì)象部件的表面會(huì)形成接近均勻的膜,但成膜性氣體難以到達(dá)膜形成對(duì)象部件的內(nèi)部(例如,多孔體的細(xì)孔的墻面、筒狀部件的內(nèi)周面、具有貫穿孔的部件的貫穿孔的墻面等)及側(cè)面(與能夠與反應(yīng)活性區(qū)域側(cè)對(duì)置的膜形成對(duì)象部件的表面交叉的面)或即使到達(dá),相同的氣體也會(huì)滯留,因此不會(huì)形成膜或難以形成接近均勻的膜。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明的課題在于提供一種膜形成裝置,該膜形成裝置與排出反應(yīng)容器內(nèi)的氣體的排氣管的排氣口設(shè)置于反應(yīng)容器的外墻的膜形成裝置相比,在膜形成對(duì)象部件的內(nèi)部及側(cè)面的至少一方均可以實(shí)現(xiàn)接近均勻的膜的形成。
上述課題通過(guò)以下手段得到解決。即,
<1>一種膜形成裝置,其具備:
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
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C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
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