[發(fā)明專利]扇出型半導(dǎo)體封裝件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910369724.6
• 申請(qǐng)日: 2019-05-06
• 公開（公告）號(hào): CN110867418A
• 公開（公告）日: 2020-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 申承完;鄭鎬俊;吳承喆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/495;H01L23/525
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 包國(guó)菊;王秀君

1.一種扇出型半導(dǎo)體封裝件，所述扇出型半導(dǎo)體封裝件包括：

框架，包括多個(gè)布線層和虛設(shè)層，所述多個(gè)布線層彼此電連接，所述虛設(shè)層設(shè)置在與所述多個(gè)布線層中的最外層的布線層的高度相同的高度上，并且所述框架具有凹入部，所述凹入部包括設(shè)置在所述凹入部的底表面上的阻擋層；

半導(dǎo)體芯片，具有設(shè)置有連接焊盤的有效表面和與所述有效表面相對(duì)的無(wú)效表面，并且所述半導(dǎo)體芯片設(shè)置在所述凹入部中，使得所述無(wú)效表面與所述阻擋層相對(duì)；

第一互連結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述連接焊盤上；

第二互連結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述最外層的布線層上；

虛設(shè)結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述虛設(shè)層上；

包封劑，包封所述框架的至少一部分、所述半導(dǎo)體芯片的至少一部分、所述第一互連結(jié)構(gòu)的至少一部分、所述第二互連結(jié)構(gòu)的至少一部分和所述虛設(shè)結(jié)構(gòu)的至少一部分，并且填充所述凹入部的至少一部分；以及

連接構(gòu)件，設(shè)置在所述框架和所述半導(dǎo)體芯片的所述有效表面上，并且包括電連接到第一金屬凸塊和第二金屬凸塊的重新分布層，

其中，所述虛設(shè)結(jié)構(gòu)具有傾斜的側(cè)表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述虛設(shè)結(jié)構(gòu)與所述第一互連結(jié)構(gòu)和所述第二互連結(jié)構(gòu)電絕緣。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述虛設(shè)結(jié)構(gòu)具有與所述連接構(gòu)件的絕緣材料接觸的頂表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述虛設(shè)層和所述虛設(shè)結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述框架的最外面的部分中。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述虛設(shè)層和所述虛設(shè)結(jié)構(gòu)均包括金屬材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述虛設(shè)結(jié)構(gòu)包括：種子層，與所述虛設(shè)層的表面和所述包封劑接觸；以及導(dǎo)電層，設(shè)置在所述種子層上并且填充由所述種子層提供的內(nèi)部空間，并且

其中，所述導(dǎo)電層與所述包封劑物理地間隔開。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述多個(gè)布線層中的至少一個(gè)布線層包括接地層，并且所述虛設(shè)層和所述虛設(shè)結(jié)構(gòu)電連接到所述接地層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一互連結(jié)構(gòu)和所述第二互連結(jié)構(gòu)是金屬柱。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述金屬柱中的每個(gè)金屬柱的側(cè)表面相對(duì)于所述包封劑的上表面大體上豎直地延伸。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一互連結(jié)構(gòu)和所述第二互連結(jié)構(gòu)以及所述虛設(shè)結(jié)構(gòu)埋設(shè)在所述包封劑中，使得所述第一互連結(jié)構(gòu)的上表面和所述第二互連結(jié)構(gòu)的上表面以及所述虛設(shè)結(jié)構(gòu)的上表面從所述包封劑中暴露。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一互連結(jié)構(gòu)和所述第二互連結(jié)構(gòu)、所述虛設(shè)結(jié)構(gòu)以及所述包封劑具有彼此共面的頂表面。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述連接構(gòu)件包括：絕緣層，設(shè)置在所述包封劑上；第一連接過(guò)孔和第二連接過(guò)孔，貫穿所述絕緣層，并且分別與所述第一互連結(jié)構(gòu)和所述第二互連結(jié)構(gòu)接觸；以及所述重新分布層，設(shè)置在所述絕緣層上，并且通過(guò)所述第一連接過(guò)孔和所述第二連接過(guò)孔電連接到所述第一互連結(jié)構(gòu)和所述第二互連結(jié)構(gòu)。