[發明專利]靜電吸盤系統、成膜裝置、被吸附體分離方法、成膜方法及電子器件的制造方法

在審

• 申請號: 201910369325.X
• 申請日: 2019-05-06
• 公開（公告）號: CN110938797A
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 柏倉一史;石井博
• 申請（專利權）人: 佳能特機株式會社
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24;C23C14/50;C23C14/54;H01L51/56
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 劉楊

本發明的靜電吸盤系統的特征在于，該靜電吸盤系統包括：靜電吸盤，包括多個電極部；電壓施加部，用于對所述靜電吸盤的所述電極部施加電壓；以及電壓控制部，用于控制由所述電壓施加部施加的電壓，所述電壓控制部控制所述電壓施加部，以相對于吸附有第1被吸附體且隔著所述第1被吸附體吸附有第2被吸附體的所述靜電吸盤的所述多個電極部中的每一個電極部，在所述第1被吸附體與所述第2被吸附體接觸的狀態下，獨立地施加用于使所述第1被吸附體與所述第2被吸附體從所述靜電吸盤一起分離的電壓。

技術領域

本發明涉及靜電吸盤系統、成膜裝置、被吸附體分離方法、成膜方法及電子器件的制造方法。

背景技術

在有機EL顯示裝置(有機EL顯示器)的制造中，在形成構成有機EL顯示裝置的有機發光元件(有機EL元件；OLED)時，使從成膜裝置的蒸鍍源蒸發了的蒸鍍材料經由形成有像素圖案的掩模蒸鍍到基板上，由此形成有機物層或金屬層。

在向上蒸鍍方式(向上淀積)的成膜裝置中，蒸鍍源設置于成膜裝置的真空容器的下部，基板配置于真空容器的上部，向基板的下表面蒸鍍。因為在這樣的向上蒸鍍方式的成膜裝置的真空容器內，僅基板的下表面的周邊部由基板保持架保持，所以基板因其自重而撓曲，這成為使蒸鍍精度下降的一個主要原因。在向上蒸鍍方式以外的方式的成膜裝置中，也有可能因基板的自重而產生撓曲。

作為用于降低由基板的自重引起的撓曲的方法，正在研究使用靜電吸盤的技術。即，通過利用靜電吸盤對基板的整個上表面進行吸附，能夠降低基板的撓曲。

在專利文獻1(韓國專利公開公報2007-0010723號)中，提出了利用靜電吸盤吸附基板及掩模的技術。

專利文獻1：韓國專利公開公報2007-0010723號

可是，專利文獻1沒有公開從靜電吸盤分離基板和掩模時的電壓控制。

發明內容

本發明的目的在于使被吸附于靜電吸盤的第1被吸附體以及第2被吸附體良好地從靜電吸盤分離。

用于解決課題的技術方案

本發明的一個技術方案的靜電吸盤系統的特征在于，該靜電吸盤系統包括：靜電吸盤，包括多個電極部；電壓施加部，用于對所述靜電吸盤的所述電極部施加電壓；以及電壓控制部，用于控制由所述電壓施加部施加的電壓，所述電壓控制部控制所述電壓施加部，以相對于吸附有第1被吸附體且隔著所述第1被吸附體吸附有第2被吸附體的所述靜電吸盤的所述多個電極部中的每一個電極部，在所述第1被吸附體與所述第2被吸附體接觸的狀態下，獨立地施加用于使所述第1被吸附體與所述第2被吸附體從所述靜電吸盤一起分離的電壓。

本發明的一個技術方案的成膜裝置用于隔著掩模對基板進行成膜，其特征在于，該成膜裝置包括用于吸附作為第1被吸附體的基板和作為第2被吸附體的掩模的靜電吸盤系統，所述靜電吸盤系統是上述本發明的一個技術方案的靜電吸盤系統。

本發明的一個技術方案的被吸附體分離方法是用于從包括多個電極部在內的靜電吸盤的所述電極部分離被吸附體的方法，其特征在于，該被吸附體分離方法包括以下的階段：相對于吸附有第1被吸附體且隔著所述第1被吸附體吸附有第2被吸附體的所述靜電吸盤的所述多個電極部中的每一個電極部，在所述第1被吸附體與所述第2被吸附體接觸的狀態下，獨立地施加用于使所述第1被吸附體與所述第2被吸附體從所述靜電吸盤一起分離的電壓；以及在所述電壓的施加階段之后，使對所述第1被吸附體進行支承的支承部件移動，使所述第1被吸附體從所述第2被吸附體離開。