[發(fā)明專利]用于處理基板的裝置和方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910368829.X
• 申請日: 2019-05-05
• 公開（公告）號: CN110441990B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發(fā)明（設計）人: 李基勝;閔忠基;曹守鉉;李玉成
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16;H01L21/67
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 侯志源

本發(fā)明涉及通過旋轉涂覆在基板上形成膜的裝置和方法。裝置包括：具有在其中處理第一基板的第一空間的第一工藝腔室；具有在其中處理第二基板的第二空間的第二工藝腔室；液體分配單元，其設置在第一和第二工藝腔室中，并分配處理液以分別在第一和第二基板上形成液態(tài)膜；氣流供應單元，其設置在第一和第二工藝腔室中，并分別在第一和第二空間中形成下向氣流；和控制器，其控制液體分配單元和氣流供應單元。各液體分配單元包括分配預處理液的預處理噴嘴、和將涂覆溶液分配到第一和第二基板中相應的一個上的涂覆溶液噴嘴。控制器控制液體分配單元以分配預處理液和隨后的涂覆溶液到第一和第二基板上，并根據分配的預處理液的量調節(jié)下向氣流的供應狀態(tài)。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2018年05月03日提交韓國專利局的申請?zhí)枮?0-2018-0051083的韓國專利申請的優(yōu)先權，其全部內容通過引用結合在本申請中。

技術領域

本文描述的本發(fā)明構思的實施方式涉及一種用于在基板上形成液態(tài)膜的裝置和方法，尤其地，涉及一種通過旋轉涂覆(旋涂，spin?coating)在基板上形成膜的裝置和方法。

背景技術

執(zhí)行例如清潔、沉積、光刻、蝕刻、離子注入等的各種工藝以制造半導體設備。在這些工藝中，光刻工藝包括在基板上形成例如光刻膠膜(photoresist?film)的液態(tài)膜的工藝。

在液態(tài)膜形成工藝中，通過將涂覆溶液涂覆到基板上形成液態(tài)膜。在將預處理液分配到基板上之后分配涂覆溶液。在涂覆溶液之前將用于改善涂覆溶液與基板表面的粘附的預處理液分配到基板上。在執(zhí)行液態(tài)膜形成工藝時，涂覆溶液可能揮發(fā)以污染周圍設備，該涂覆溶液為揮發(fā)性材料。由此，在執(zhí)行液態(tài)膜形成工藝的空間中形成向下流動的氣體。

然而，下向氣流影響液態(tài)膜的厚度。由此，在設置液態(tài)膜形成裝置后，下向氣流具有恒定的供應狀態(tài)，且考慮到液態(tài)膜形成裝置和周圍腔室之間的壓力差而變化。

因此，液態(tài)膜的厚度根據基板在其中處理的空間而改變，并且難以改變下向氣流的供應狀態(tài)以對應于液態(tài)膜形成工藝。

發(fā)明內容

本發(fā)明構思的實施方式提供了一種用于均勻調節(jié)基板上形成的液態(tài)膜的厚度的裝置和方法。

本發(fā)明構思的實施方式提供了一種用于改變下向氣流的供應狀態(tài)以對應于液態(tài)膜形成工藝的裝置和方法。

本發(fā)明構思的實施方式提供了一種用于在多個基板上形成相同厚度的不同類型的液態(tài)膜的裝置和方法。

根據一示例性實施方式，一種用于在基板上形成液態(tài)膜的裝置包括：第一工藝腔室，其具有第一空間，在所述第一空間中處理第一基板；第二工藝腔室，其具有第二空間，在所述第二空間中處理第一基板；液體分配單元，其設置在所述第一工藝腔室和所述第二工藝腔室中，并分配處理液以分別在所述第一基板和第二基板上形成液態(tài)膜；氣流供應單元，其設置在所述第一工藝腔室和第二工藝腔室中，并分別在所述第一空間和第二空間中形成下向氣流；以及控制器，其控制所述液體分配單元和所述氣流供應單元。每個液體分配單元包括預處理噴嘴，其分配預處理液，和涂覆溶液噴嘴，其將涂覆溶液分配到所述第一基板和第二基板中相應的一個上。所述控制器控制所述液體分配單元分配預處理液和隨后的所述涂覆溶液至所述第一基板和第二基板上，并根據分配的預處理液的量調節(jié)下向氣流的供應狀態(tài)。

可將第一量的預處理液分配到所述第一基板上，并在所述第一空間中可形成具有第一速率的下向氣流。可將第二量的預處理液分配到所述第二基板上，并在所述第二空間中可形成具有第二速率的下向氣流。所述第一量可大于所述第二量，且所述第一速率可低于第二速率。

所述預處理液可包括溶劑，且分配到所述第一基板的涂覆溶液和分配到所述第二基板上的涂覆溶液可以為不同類型的液體。