[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板、面板、裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910368569.6
• 申請(qǐng)日: 2019-05-05
• 公開（公告）號(hào): CN110061064B
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李民;張偉;徐苗;鄒建華;陶洪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣州新視界光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L29/423;H01L21/34
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板、面板、裝置。該薄膜晶體管包括襯底基板；位于襯底基板上的圖形化的有源層，有源層包括中間區(qū)，以及源極區(qū)和漏極區(qū)；位于有源層上的柵極絕緣層，柵極絕緣層包括主體部，以及第一子部和第二子部；位于主體部上的柵極；覆蓋柵極、第一子部、第二子部以及襯底基板的第一絕緣層；位于第一絕緣層上的源極和漏極，源極與源極區(qū)電連接，漏極與漏極區(qū)電連接。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案，避免了有源層的高導(dǎo)處理損傷有源層表面，保證了薄膜晶體管具有良好的短溝道器件性能，且絕緣層能夠完全覆蓋層疊的柵極和主體部與兩側(cè)區(qū)域內(nèi)結(jié)構(gòu)之間的臺(tái)階，提升了薄膜晶體管的器件性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及電子器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板、面板、裝置。

背景技術(shù)

薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)是液晶顯示器中用來控制每個(gè)像素亮度的基本電路組件，隨著科技的發(fā)展，多晶硅結(jié)構(gòu)可在低溫環(huán)境下利用激光熱退火的工藝來形成，薄膜晶體管的制造由早期的非晶硅結(jié)構(gòu)演進(jìn)到低溫多晶硅結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)工藝的變化大幅改善了薄膜晶體管的電性，也克服了玻璃基板不能耐高溫的問題，使薄膜晶體管可直接于玻璃基板上形成。

對(duì)于頂柵薄膜晶體管，在形成柵極后，以柵極作為掩膜介質(zhì)采用自對(duì)準(zhǔn)工藝實(shí)現(xiàn)源極層的高導(dǎo)處理。高導(dǎo)處理采用粒子轟擊實(shí)現(xiàn)，轟擊粒子的能量很高，會(huì)損傷有源層中直接被轟擊的表面，且粒子轟擊具有各向異性,使得柵極下方的有源層的邊緣成為轟擊陰影區(qū)，使得薄膜晶體管無法獲得良好的短溝道器件性能。此外，層疊的柵極和柵極絕緣層與有源層之間的段差大，在柵極、有源層和襯底基板上直接形成絕緣層時(shí)，絕緣層無法完全覆蓋層疊的柵極和柵極絕緣層與有源層之間的臺(tái)階，導(dǎo)致有源層和柵極絕緣層連接的拐角處存在空隙，使得薄膜晶體管的性能受到影響。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板、面板、裝置，以避免有源層的高導(dǎo)處理損傷有源層表面，保證了薄膜晶體管具有良好的短溝道器件性能，且第一絕緣層能夠完全覆蓋層疊的柵極和主體部與兩側(cè)區(qū)域內(nèi)結(jié)構(gòu)之間的臺(tái)階，以提升薄膜晶體管的器件性能。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管，包括：

襯底基板；

位于所述襯底基板上的圖形化的有源層，所述有源層包括中間區(qū)，以及分別設(shè)置于所述中間區(qū)相對(duì)兩側(cè)的源極區(qū)和漏極區(qū)；

位于所述有源層上的柵極絕緣層，所述柵極絕緣層包括主體部、第一子部和第二子部，所述主體部位于所述中間區(qū)上，所述第一子部位于所述源極區(qū)上，所述第二子部位于所述漏極區(qū)上；

位于所述主體部上的柵極；

覆蓋所述柵極、所述第一子部、所述第二子部以及所述襯底基板的第一絕緣層；

位于所述第一絕緣層上的源極和漏極，所述源極與所述源極區(qū)電連接，所述漏極與所述漏極區(qū)電連接。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示基板，包括上述第一方面所述的薄膜晶體管。

第三方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括上述第二方面所述的顯示基板。

第四方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括上述第三方面所述的顯示面板。

第五方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管的制備方法，包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上形成圖形化的有源層，所述有源層包括中間區(qū)，以及分別設(shè)置于所述中間區(qū)相對(duì)兩側(cè)的源極區(qū)和漏極區(qū)；

在所述有源層上形成原始柵極絕緣層，所述原始柵極絕緣層包括甲子?xùn)艠O絕緣層、乙子?xùn)艠O絕緣層和丙子?xùn)艠O絕緣層，所述甲子?xùn)艠O絕緣層位于所述中間區(qū)上，所述乙子?xùn)艠O絕緣層位于所述源極區(qū)上，所述丙子?xùn)艠O絕緣層位于所述漏極區(qū)上；