[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板、面板、裝置

有效

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• 申請日: 2019-05-05
• 公開（公告）號: CN110061064B
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發(fā)明（設計）人: 李民;張偉;徐苗;鄒建華;陶洪
• 申請（專利權）人: 廣州新視界光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/423;H01L21/34
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

襯底基板；

位于所述襯底基板上的圖形化的有源層，所述有源層包括中間區(qū)，以及分別設置于所述中間區(qū)相對兩側的源極區(qū)和漏極區(qū)；

位于所述有源層上的柵極絕緣層，所述柵極絕緣層包括主體部、第一子部和第二子部，所述主體部位于所述中間區(qū)上，所述第一子部位于所述源極區(qū)上，所述第二子部位于所述漏極區(qū)上；

位于所述主體部上的柵極；

覆蓋所述柵極、所述第一子部、所述第二子部以及所述襯底基板的第一絕緣層；

位于所述第一絕緣層上的源極和漏極，所述源極與所述源極區(qū)電連接，所述漏極與所述漏極區(qū)電連接；

所述第一子部和所述第二子部與所述主體部的交界位置處存在斜坡；

所述第一子部和所述第二子部的厚度為所述主體部的厚度的15％～70％；

所述第一子部和所述第二子部的厚度取值范圍均為50nm～300nm；

形成柵極絕緣層的方法包括：

在所述有源層上形成原始柵極絕緣層，所述原始柵極絕緣層包括甲子柵極絕緣層、乙子柵極絕緣層和丙子柵極絕緣層，所述甲子柵極絕緣層位于所述中間區(qū)上，所述乙子柵極絕緣層位于所述源極區(qū)上，所述丙子柵極絕緣層位于所述漏極區(qū)上；

在所述甲子柵極絕緣層上形成柵極；

以所述柵極為掩膜介質，采用干法刻蝕工藝減薄所述乙子柵極絕緣層和所述丙子柵極絕緣層，以獲得柵極絕緣層；

采用PECVD工藝在所述第一子部、所述第二子部、所述柵極和所述襯底基板上形成所述第一絕緣層，同時以所述柵極為掩膜介質，并以所述第一子部和所述第二子部為保護介質，利用PECVD工藝中前驅氣體分解出的氫離子對所述有源層進行高導處理。

2.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極絕緣層的材料為氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉿、氧化鉭或氧化鋯。

3.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括位于所述源極、漏極以及所述第一絕緣層上的第二絕緣層。

4.一種顯示基板，其特征在于，包括權利要求1-3任一項所述的薄膜晶體管。

5.一種顯示面板，其特征在于，包括權利要求4所述的顯示基板。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求5所述的顯示面板。

7.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上形成圖形化的有源層，所述有源層包括中間區(qū)，以及分別設置于所述中間區(qū)相對兩側的源極區(qū)和漏極區(qū)；

在所述有源層上形成原始柵極絕緣層，所述原始柵極絕緣層包括甲子柵極絕緣層、乙子柵極絕緣層和丙子柵極絕緣層，所述甲子柵極絕緣層位于所述中間區(qū)上，所述乙子柵極絕緣層位于所述源極區(qū)上，所述丙子柵極絕緣層位于所述漏極區(qū)上；

在所述甲子柵極絕緣層上形成柵極；

以所述柵極為掩膜介質，采用干法刻蝕工藝減薄所述乙子柵極絕緣層和所述丙子柵極絕緣層，以獲得柵極絕緣層，所述柵極絕緣層包括主體部、第一子部和第二子部，所述主體部位于所述中間區(qū)上，所述第一子部位于所述源極區(qū)上，所述第二子部位于所述漏極區(qū)上；

采用PECVD工藝在所述第一子部、所述第二子部、所述柵極和所述襯底基板上形成第一絕緣層，同時以所述柵極為掩膜介質，并以所述第一子部和所述第二子部為保護介質，利用PECVD工藝中前驅氣體分解出的氫離子對所述有源層進行高導處理；

形成與所述源極區(qū)電連接的源極和與所述漏極區(qū)電連接的漏極；

所述第一子部和所述第二子部與所述主體部的交界位置處存在斜坡；

所述第一子部和所述第二子部的厚度為所述主體部的厚度的15％～70％；

所述第一子部和所述第二子部的厚度取值范圍均為50nm～300nm。

8.根據(jù)權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述形成與所述源極區(qū)電連接的源極和與所述漏極區(qū)電連接的漏極之后，還包括：

在所述源極、漏極以及所述第一絕緣層上形成第二絕緣層。