[發(fā)明專利]一種氧化物半導(dǎo)體TFT陣列基板及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910368310.1
• 申請(qǐng)日: 2019-05-05
• 公開（公告）號(hào): CN110246848A
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務(wù)所(普通合伙) 35219
• 代理人: 林祥翔;徐劍兵

1.一種氧化物半導(dǎo)體TFT陣列基板，其特征在于，包括基板和依次形成在基板上的第一金屬層、柵極絕緣層、氧化物半導(dǎo)體有源層、第二金屬層、SINx絕緣層和SiOx絕緣層，所述第二金屬層的頂部為鉬金屬層，所述SINx絕緣層位于第二金屬層與SiOx絕緣層之間，且SINx絕緣層與第二金屬層的圖案完全重疊，所述第二金屬層形成源極和漏極，所述源極和漏極之間的位置對(duì)應(yīng)的氧化物半導(dǎo)體有源層為溝道區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物半導(dǎo)體TFT陣列基板，其特征在于，還包括平坦化層、觸控走線、第一絕緣層、公共電極、第二絕緣層和像素電極，所述平坦化層、觸控走線、第一絕緣層、公共電極、第二絕緣層和像素電極依次形成在SiOx絕緣層上，所述SINx絕緣層、SiOx絕緣層、第一絕緣層和第二絕緣層的相應(yīng)位置均開設(shè)有過孔，所述像素電極穿過所述過孔與漏極連通。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氧化物半導(dǎo)體TFT陣列基板，其特征在于，所述公共電極與觸控走線連接，用于傳遞觸控信號(hào)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物半導(dǎo)體TFT陣列基板，其特征在于，所述第二金屬層為Mo/Al/Mo組成的夾心層結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物半導(dǎo)體TFT陣列基板，其特征在于，氧化物半導(dǎo)體有源層為IGZO有源層。

6.一種氧化物半導(dǎo)體TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

在基板上形成第一金屬層并制作柵極驅(qū)動(dòng)電路；

在柵極上形成柵極絕緣層；

在柵極絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體有源層；

在氧化物半導(dǎo)體有源層依次連續(xù)沉積第二金屬層和SINx絕緣層；

在SINx絕緣層上進(jìn)行光阻涂布，通過黃光制程透過灰階光罩對(duì)第二金屬層和SINx絕緣層進(jìn)行一次曝光；

依次對(duì)SINx絕緣層和第二金屬層進(jìn)行圖案化蝕刻以形成源極和漏級(jí)，并剝離剩余光阻；

在SINx絕緣層上形成SiOx絕緣層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氧化物半導(dǎo)體TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述“在SINx絕緣層上形成SiOx絕緣層”步驟之后還包括：

在SiOx絕緣層依次沉積形成平坦化層、觸控走線、第一絕緣層、公共電極、第二絕緣層和像素電極，且像素電極依次經(jīng)過第二絕緣層、第一絕緣層、SiOx絕緣層和SINx絕緣層相應(yīng)位置上的過孔與漏極連通。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氧化物半導(dǎo)體TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，通過濕蝕刻工藝對(duì)SINx絕緣層和第二金屬層進(jìn)行圖案化蝕刻。