[發明專利]使線寬粗糙度和線邊緣粗糙度最小化的關鍵尺寸修整方法

在審

• 申請號: 201910368033.4
• 申請日: 2019-05-05
• 公開（公告）號: CN110444475A
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發明（設計）人: 安熱利克·D·雷利;蘇巴迪普·卡爾
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/033;H01L21/027
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王萍;王鵬

1.一種用于加工襯底的方法，包括：

提供具有第一圖案化結構和在所述第一圖案化結構下面的蝕刻目標層的襯底，所述第一圖案化結構具有第一線寬和第一空間寬度；

蝕刻所述蝕刻目標層以形成與所述第一圖案化結構對應的蝕刻目標層結構；

在蝕刻所述蝕刻目標層之后，修整所述蝕刻目標層結構以減小所述蝕刻目標層結構的關鍵尺寸，使得所述蝕刻目標層結構具有第二線寬和第二空間寬度，所述第二線寬小于所述第一圖案化結構的第一線寬；以及

其中，使用各向同性氣態化學去除工藝執行所述蝕刻目標層的修整。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述蝕刻目標層是芯模層。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述芯模層是氮化硅層。

4.根據權利要求2所述的方法，還包括在所述第一圖案化結構與所述蝕刻目標層之間提供中間層。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，在所述各向同性氣態化學去除工藝期間，部分中間層保持覆蓋所述蝕刻目標層。

6.根據權利要求4所述的方法，其中，在所述各向同性氣態化學去除工藝之后，去除部分中間層。

7.根據權利要求4所述的方法，其中，在所述各向同性氣態化學去除工藝之前，去除中間的平坦化層。

8.一種用于加工襯底的方法，所述方法包括：

提供具有圖案化抗蝕劑結構的抗蝕劑層；

提供下層、含碳層、蝕刻目標層和蝕刻停止層；

執行下層開口工藝，所述下層開口工藝將所述抗蝕劑層的抗蝕劑圖案轉移到所述下層中；

執行含碳層蝕刻工藝，所述含碳層蝕刻工藝去除所述抗蝕劑層并且將下層圖案轉移到所述含碳層中；

執行蝕刻目標層開口工藝，所述蝕刻目標層開口工藝去除所述含碳層并且將所述抗蝕劑圖案轉移到所述蝕刻目標層中；以及

執行氣相非等離子體關鍵尺寸修整工藝以修整所述蝕刻停止層上方的目標結構。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，在執行所述氣相非等離子體關鍵尺寸修整工藝之后，執行用于去除所述含碳層的灰化工藝。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述目標結構是芯模。

11.根據權利要求9所述的方法，其中，所述氣相非等離子體關鍵尺寸修整工藝是氨和氟化氫工藝。

12.根據權利要求8所述的方法，其中，在執行所述氣相非等離子體關鍵尺寸修整工藝之前，執行用于去除所述含碳層的灰化工藝。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述目標結構是芯模。

14.根據權利要求12所述的方法，其中，所述氣相非等離子體關鍵尺寸修整工藝是氨和氟化氫工藝。

15.一種用于加工襯底的方法，包括：

提供具有第一圖案化結構和在所述第一圖案化結構下面的蝕刻目標層的襯底，所述第一圖案化結構具有第一關鍵尺寸；

蝕刻所述蝕刻目標層以形成與所述第一圖案化結構對應的目標結構；以及

在蝕刻所述蝕刻目標層之后，使用多個循環的無等離子體氣相蝕刻工藝修整所述目標結構，

其中，通過所述修整使目標結構關鍵尺寸從所述第一關鍵尺寸減小。

16.根據權利要求15所述的方法，其中，所述蝕刻目標層是氮化硅層。

17.根據權利要求16所述的方法，其中，所述無等離子體氣相蝕刻工藝利用氨吸附催化反應機制。