[發(fā)明專利]一種單晶太陽(yáng)能電池及其制作方法、一種光伏組件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910367759.6
• 申請(qǐng)日: 2019-05-05
• 公開（公告）號(hào): CN110071184A
• 公開（公告）日: 2019-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢洪強(qiáng);張樹德;李躍;魏青竹;倪志春
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州騰暉光伏技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/028
• 分類號(hào): H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 羅滿

本申請(qǐng)公開了一種單晶太陽(yáng)能電池，通過(guò)從迎光面到背光面依次接觸設(shè)置的前表面電極、P型基體硅、遂穿層、磷摻雜層及背表面電極；所述磷摻雜層為經(jīng)過(guò)磷摻雜的N型半導(dǎo)體層；所述磷摻雜層與背表面電極形成歐姆接觸，且所述背表面電極與所述遂穿層無(wú)直接接觸；位于所述遂穿層兩側(cè)的所述P型基體硅與所述磷摻雜層中的自由載流子可發(fā)生遂穿效應(yīng)，使所述P型基體硅與所述磷摻雜層實(shí)現(xiàn)電連接。本申請(qǐng)需進(jìn)行磷摻雜生成N型半導(dǎo)體層，而磷摻雜工藝簡(jiǎn)單，提升所述單晶太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)效率；所述背表面電極與所述磷摻雜層薄膜接觸，增大了所述單晶太陽(yáng)能電池的載流子收集效率。本發(fā)明同時(shí)提供了一種具有上述有益效果的單晶太陽(yáng)能電池的制備方法及光伏組件。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及光伏能源領(lǐng)域，特別是涉及一種單晶太陽(yáng)能電池及其制作方法、一種光伏組件。

背景技術(shù)

近年來(lái)，由于能源危機(jī)以及日益嚴(yán)重的環(huán)境污染日趨嚴(yán)重，各國(guó)對(duì)可再生能源的生產(chǎn)和投入逐漸加大力度，整個(gè)光伏行業(yè)都取得了突破性的迅猛發(fā)展，度電成本也越來(lái)越低，加上近年來(lái)政策支持，使低成本、高效率成為了降低度電成本的兩大法寶，受到光伏企業(yè)的進(jìn)一步重視。

德國(guó)Fraunhofer研究所研制出來(lái)的TOPcon(Tunnel Oxide Passivated contact)技術(shù)可以進(jìn)一步使N型單晶電池效率實(shí)現(xiàn)突破，大幅提升N型單晶電池的工作效率，但現(xiàn)有的通過(guò)N型單晶材料稀缺，制作工藝復(fù)雜，成本高昂，拜其所賜目前的TOPcon電池產(chǎn)量始終卡在瓶頸，難以提升。綜上所述，找到一種工藝簡(jiǎn)單，可大規(guī)模量產(chǎn)的高性能單晶TOPcon太陽(yáng)能電池，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問(wèn)題。

申請(qǐng)內(nèi)容

本申請(qǐng)的目的是提供一種單晶太陽(yáng)能電池及其制作方法、一種光伏組件，以解決現(xiàn)有技術(shù)中硼摻雜難度較高，TOPcon單晶太陽(yáng)能電池產(chǎn)能有限的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N單晶太陽(yáng)能電池，包括：

從迎光面到背光面依次接觸設(shè)置的前表面電極、P型基體硅、遂穿層、磷摻雜層及背表面電極；

所述磷摻雜層為經(jīng)過(guò)磷摻雜的N型半導(dǎo)體層；

所述磷摻雜層上與所述背表面電極形成歐姆接觸，且所述背表面電極與所述遂穿層無(wú)直接接觸；

位于所述遂穿層兩側(cè)的所述P型基體硅與所述磷摻雜層中的自由載流子可發(fā)生遂穿效應(yīng)，使所述P型基體硅與所述磷摻雜層實(shí)現(xiàn)電連接。

可選地，在所述單晶太陽(yáng)能電池中，所述遂穿層的厚度的范圍為0.1納米至2.0納米，包括端點(diǎn)值。

可選地，在所述單晶太陽(yáng)能電池中，所述遂穿層為氧化鋁層或二氧化硅層。

可選地，在所述單晶太陽(yáng)能電池中，所述單晶太陽(yáng)能電池還包括鈍化層；

所述鈍化層包括前表面鈍化層與背表面鈍化層；

所述前表面鈍化層設(shè)置于所述P型基體硅靠近所述迎光面的表面，所述前表面電極穿過(guò)所述前表面鈍化層與所述P型基體硅接觸設(shè)置；

所述背表面鈍化層設(shè)置于所述磷摻雜層靠近所述背光面的表面，所述背表面電極穿過(guò)所述背表面鈍化層與所述磷摻雜層接觸設(shè)置。

可選地，在所述單晶太陽(yáng)能電池中，所述鈍化層的厚度范圍為50納米至200納米，包括端點(diǎn)值。

可選地，在所述單晶太陽(yáng)能電池中，所述P型基體硅靠近所述迎光面的表面為經(jīng)過(guò)制絨處理的表面。

可選地，在所述單晶太陽(yáng)能電池中，所述磷摻雜層的厚度的范圍為50納米至500納米，包括端點(diǎn)值。

本申請(qǐng)還提供了一種光伏組件，所述光伏組件包括上述任一種所述的單晶太陽(yáng)能電池。

本申請(qǐng)還提供了一種單晶太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，包括：