[發明專利]一種單晶太陽能電池及其制作方法、一種光伏組件在審
| 申請號： | 201910367759.6 | 申請日： | 2019-05-05 |
| 公開（公告）號： | CN110071184A | 公開（公告）日： | 2019-07-30 |
| 發明（設計）人： | 錢洪強;張樹德;李躍;魏青竹;倪志春 | 申請（專利權）人： | 蘇州騰暉光伏技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/028 | 分類號： | H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 羅滿 |
| 地址： | 215500 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磷摻雜層 單晶太陽能電池 背表面 磷摻雜 遂穿層 電極 光伏組件 載流子收集效率 前表面電極 自由載流子 薄膜接觸 電極形成 接觸設置 歐姆接觸 生產效率 背光面 電連接 迎光面 申請 制備 制作 | ||
1.一種單晶太陽能電池，其特征在于，包括：
從迎光面到背光面依次接觸設置的前表面電極、P型基體硅、遂穿層、磷摻雜層及背表面電極；
所述磷摻雜層為經過磷摻雜的N型半導體層；
所述磷摻雜層與所述背表面電極形成歐姆接觸，且所述背表面電極與所述遂穿層無直接接觸；
位于所述遂穿層兩側的所述P型基體硅與所述磷摻雜層中的自由載流子可發生遂穿效應，使所述P型基體硅與所述磷摻雜層實現電連接。
2.如權利要求1所述的單晶太陽能電池，其特征在于，所述遂穿層的厚度的范圍為0.1納米至2.0納米，包括端點值。
3.如權利要求2所述的單晶太陽能電池，其特征在于，所述遂穿層為氧化鋁層或二氧化硅層。
4.如權利要求3所述的單晶太陽能電池，其特征在于，所述單晶太陽能電池還包括鈍化層；
所述鈍化層包括前表面鈍化層與背表面鈍化層；
所述前表面鈍化層設置于所述P型基體硅靠近所述迎光面的表面，所述前表面電極穿過所述前表面鈍化層與所述P型基體硅接觸設置；
所述背表面鈍化層設置于所述磷摻雜層靠近所述背光面的表面，所述背表面電極穿過所述背表面鈍化層與所述磷摻雜層接觸設置。
5.如權利要求4所述的單晶太陽能電池，其特征在于，所述鈍化層的厚度范圍為50納米至200納米，包括端點值。
6.如權利要求1所述的單晶太陽能電池，其特征在于，所述P型基體硅靠近所述迎光面的表面為經過制絨處理的表面。
7.如權利要求1至7任一項所述的單晶太陽能電池，其特征在于，所述磷摻雜層的厚度的范圍為50納米至500納米，包括端點值。
8.一種光伏組件，其特征在于，所述光伏組件包括如權利要求1至7任一項所述的單晶太陽能電池。
9.一種單晶太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：
在P型基體硅的一側設置遂穿層；
在遂穿層表面設置磷摻雜層；
通過金屬燒結在所述P型基體硅與設置所述遂穿層相對的表面設置前表面電極，在所述磷摻雜層表面設置背表面電極，得到所述單晶太陽能電池。
10.如權利要求9所述的單晶太陽能電池，其特征在于，所述在遂穿層表面設置磷摻雜層具體為：
在所述遂穿層表面設置本征非晶硅層或多晶硅層；
對所述本征非晶硅層或所述多晶硅層進行磷摻雜，得到所述磷摻雜層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
