[發明專利]利用螺旋波等離子體技術制備碳化硅薄膜的方法在審
| 申請號： | 201910367381.X | 申請日： | 2019-05-05 |
| 公開（公告）號： | CN109989048A | 公開（公告）日： | 2019-07-09 |
| 發明（設計）人： | 吳雪梅;陳佳麗;金成剛;季佩宇;諸葛蘭劍 | 申請（專利權）人： | 蘇州大學 |
| 主分類號： | C23C16/32 | 分類號： | C23C16/32;C23C16/517 |
| 代理公司： | 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215137 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳化硅薄膜 真空沉積 螺旋波 室內 制備 制備碳化硅薄膜 等離子體技術 射頻電源 直流電源 襯底 本底真空 均勻致密 射頻功率 射頻頻率 天線尾部 顯微硬度 楊氏模量 液體加熱 有機硅烷 真空放電 軸向磁場 粗糙度 放電腔 真空抽 沉積 蒸發 | ||
1.一種利用螺旋波等離子體技術制備碳化硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）將襯底置于真空沉積室內的基片臺上；
（2）將真空放電室和真空沉積室內的真空抽至本底真空；
（3）從螺旋波天線尾部將Ar氣通入到放電腔室內，Ar氣的流量為20-100sccm，打開射頻電源和直流電源，調節射頻電源的射頻頻率為2MHz-60 MHz、射頻功率為200-3000W，調節直流電源使軸向磁場強度為200-5000 Gs；
（4）將有機硅烷液體加熱蒸發成氣體，通入到真空沉積室內，在襯底上沉積碳化硅薄膜。
2.根據權利要求1所述的利用螺旋波等離子體技術制備碳化硅薄膜的方法，其特征在于，加熱溫度為90-130℃。
3.根據權利要求2所述的利用螺旋波等離子體技術制備碳化硅薄膜的方法，其特征在于，所述步驟（4）中，液體源通過油浴加熱。
4.根據權利要求1所述的利用螺旋波等離子體技術制備碳化硅薄膜的方法，其特征在于，所述步驟（2）中，本底真空為1×10-4Pa。
5. 根據權利要求1所述的利用螺旋波等離子體技術制備碳化硅薄膜的方法，其特征在于，所述步驟（3）中，射頻頻率為13.56 MHz、射頻功率為1500W。
6.根據權利要求1所述的利用螺旋波等離子體技術制備碳化硅薄膜的方法，其特征在于，所述步驟（3）中，軸向磁場強度為1480Gs。
7. 根據權利要求1所述的利用螺旋波等離子體技術制備碳化硅薄膜的方法，其特征在于，所述步驟（3）中，Ar氣的流量為60 sccm。
8.根據權利要求1所述的利用螺旋波等離子體技術制備碳化硅薄膜的方法，其特征在于，所述步驟（1）中，襯底為316不銹鋼。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
