[發明專利]一種應用于逐次逼近模數轉換器的失配誤差校正方法有效
| 申請號： | 201910367262.4 | 申請日： | 2019-05-05 |
| 公開（公告）號： | CN110113050B | 公開（公告）日： | 2021-07-06 |
| 發明（設計）人： | 樊華;雷鵬;馮全源;蔡經緯;李大剛;胡達千;岑遠軍 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H03M1/10 | 分類號： | H03M1/10;H03M1/46 |
| 代理公司： | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人： | 陳一鑫 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 應用于 逐次 逼近 轉換器 失配 誤差 校正 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種應用于逐次逼近模數轉換器的失配誤差校正方法，該方法包括：
步驟1：對于SAR ADC全差分結構，正端電容DAC陣列和負端電容DAC陣列為鏡像互補關系；所述正端電容DAC陣列和負端電容DAC陣列由n=2m 個單位電容組成，n、m為正整數；
步驟2：將n個單位電容按照從小到大進行排序，并編號為1、2、3……n；
步驟3：將排完序之后的單位電容陣列按順序分為第一到第四共四個組，每一組有n/4個單位電容，選取第一組和第四組中編號為奇數的單位電容和第二組和第三組中編號為偶數的單位電容一起作為電容DAC陣列的MSB電容；
步驟4：在步驟3每一組剩下的單位電容中從第一個開始間隔選取出一半的單位電容，將四組選出的單位電容組合為電容DAC陣列的MSB-1電容；
步驟5：再按照步驟4的方法依次選出DAC陣列的后續電容，直到每組的單位電容只剩余兩個，將每組中第一個單位電容選出組合成為MSB-(m-3) 電容，再將第一組和第三組的最后一個單位電容組合為MSB-(m-2) 電容，將第二組和第四組最后一個單位電容分別作為MSB-(m-1) 電容以及LSB；
步驟6：根據步驟1-步驟5的方法將單位電容重新組合得到的電容作為SAR ADC的電容DAC陣列；采用新得到的SAR ADC的電容DAC陣列，作為逐次逼近模數轉換器的電容陣列進行模數轉換。
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