[發明專利]芯片的制造方法在審
| 申請號: | 201910366835.1 | 申請日: | 2019-05-05 |
| 公開(公告)號: | CN110473831A | 公開(公告)日: | 2019-11-19 |
| 發明(設計)人: | 淀良彰;趙金艷 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/782 | 分類號: | H01L21/782 |
| 代理公司: | 11127 北京三友知識產權代理有限公司 | 代理人: | 喬婉;于靖帥<國際申請>=<國際公布>= |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 被加工物 芯片 芯片區域 分割 激光加工步驟 分割預定線 改質層 激光束 透過性 波長 制造 外周剩余區域 加熱和冷卻 邊界照射 對板 賦予 照射 | ||
提供芯片的制造方法,不使用擴展片而能夠對板狀的被加工物進行分割而制造出多個芯片。該芯片的制造方法包含如下的步驟:第1激光加工步驟,沿著分割預定線僅對芯片區域照射對于被加工物具有透過性的波長的激光束,形成沿著芯片區域的分割預定線的第1改質層;第2激光加工步驟,沿著芯片區域與外周剩余區域的邊界照射對于被加工物具有透過性的波長的激光束,形成沿著該邊界的第2改質層;以及分割步驟,對被加工物賦予力而將被加工物分割成各個芯片,在分割步驟中,通過加熱和冷卻來賦予力而將被加工物分割成各個芯片。
技術領域
本發明涉及芯片的制造方法,對板狀的被加工物進行分割而制造出多個芯片。
背景技術
為了將以晶片為代表的板狀的被加工物(工件)分割成多個芯片,公知有如下的方法:使具有透過性的激光束會聚在被加工物的內部,形成因多光子吸收而被改質的改質層(改質區域)(例如參照專利文獻1)。改質層比其他區域脆,因此通過在沿著分割預定線(間隔道)形成改質層之后對被加工物施加力,從而能夠以該改質層為起點將被加工物分割成多個芯片。
在對形成有改質層的被加工物施加力時,例如采用將具有伸展性的擴展片(擴展帶)粘貼在被加工物上并進行擴展的方法(例如參照專利文獻2)。在該方法中,通常在照射激光束而在被加工物中形成改質層之前,將擴展片粘貼在被加工物上,然后在形成改質層之后對擴展片進行擴展而將被加工物分割成多個芯片。
專利文獻1:日本特開2002-192370號公報
專利文獻2:日本特開2010-206136號公報
但是,在上述那樣的對擴展片進行擴展的方法中,使用后的擴展片無法再次使用,因此制造芯片所需的費用也容易增高。特別是作為粘接材料不容易殘留在芯片上的高性能的擴展片,其價格也高,因此當使用這樣的擴展片時,制造芯片所需的費用也增高。
發明內容
本發明是鑒于該問題點而完成的,其目的在于提供芯片的制造方法,不使用擴展片而能夠對板狀的被加工物進行分割而制造出多個芯片。
根據本發明的一個方式,提供芯片的制造方法,從具有芯片區域和圍繞該芯片區域的外周剩余區域的被加工物制造出多個芯片,所述芯片區域由交叉的多條分割預定線劃分成將要成為該芯片的多個區域,該芯片的制造方法的特征在于,具有如下的步驟:保持步驟,利用保持工作臺直接對被加工物進行保持;第1激光加工步驟,在實施了該保持步驟之后,按照將對于被加工物具有透過性的波長的激光束的聚光點定位于該保持工作臺所保持的被加工物的內部的方式沿著該分割預定線僅對被加工物的該芯片區域照射該激光束,沿著該芯片區域的該分割預定線形成第1改質層,并且將該外周剩余區域作為未形成該第1改質層的加強部;第2激光加工步驟,在實施了該保持步驟之后,按照將對于被加工物具有透過性的波長的激光束的聚光點定位于該保持工作臺所保持的被加工物的內部的方式沿著該芯片區域與該外周剩余區域的邊界照射該激光束,沿著該邊界形成第2改質層;搬出步驟,在實施了該第1激光加工步驟和該第2激光加工步驟之后,將被加工物從該保持工作臺搬出;以及分割步驟,在實施了該搬出步驟之后,對被加工物賦予力而將被加工物分割成各個該芯片,在該分割步驟中,通過加熱和冷卻來賦予該力而將被加工物分割成各個該芯片。
在本發明的一個方式中,可以還具有如下的加強部去除步驟:在實施了該第1激光加工步驟和該第2激光加工步驟之后并且在實施該分割步驟之前,將該加強部去除。另外,在本發明的一個方式中,也可以是,該保持工作臺的上表面由柔軟的材料構成,在該保持步驟中,利用該柔軟的材料對被加工物的正面側進行保持。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社迪思科,未經株式會社迪思科許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910366835.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:晶片的分割方法
- 下一篇:半導體結構及形成方法、靜態隨機存取存儲器及形成方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





