[發明專利]芯片的制造方法在審
| 申請號： | 201910366835.1 | 申請日： | 2019-05-05 |
| 公開（公告）號： | CN110473831A | 公開（公告）日： | 2019-11-19 |
| 發明（設計）人： | 淀良彰;趙金艷 | 申請（專利權）人： | 株式會社迪思科 |
| 主分類號： | H01L21/782 | 分類號： | H01L21/782 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知識產權代理有限公司 | 代理人： | 喬婉;于靖帥<國際申請>=<國際公布>= |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 被加工物 芯片 芯片區域 分割 激光加工步驟 分割預定線 改質層 激光束 透過性 波長 制造 外周剩余區域 加熱和冷卻 邊界照射 對板 賦予 照射 | ||
1.一種芯片的制造方法，從具有芯片區域和圍繞該芯片區域的外周剩余區域的被加工物制造出多個芯片，所述芯片區域由交叉的多條分割預定線劃分成將要成為該芯片的多個區域，
該芯片的制造方法的特征在于，具有如下的步驟：
保持步驟，利用保持工作臺直接對被加工物進行保持；
第1激光加工步驟，在實施了該保持步驟之后，按照將對于被加工物具有透過性的波長的激光束的聚光點定位于該保持工作臺所保持的被加工物的內部的方式沿著該分割預定線僅對被加工物的該芯片區域照射該激光束，沿著該芯片區域的該分割預定線形成第1改質層，并且將該外周剩余區域作為未形成該第1改質層的加強部；
第2激光加工步驟，在實施了該保持步驟之后，按照將對于被加工物具有透過性的波長的激光束的聚光點定位于該保持工作臺所保持的被加工物的內部的方式沿著該芯片區域與該外周剩余區域的邊界照射該激光束，沿著該邊界形成第2改質層；
搬出步驟，在實施了該第1激光加工步驟和該第2激光加工步驟之后，將被加工物從該保持工作臺搬出；以及
分割步驟，在實施了該搬出步驟之后，對被加工物賦予力而將被加工物分割成各個該芯片，
在該分割步驟中，通過加熱和冷卻來賦予該力而將被加工物分割成各個該芯片。
2.根據權利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，
該芯片的制造方法還具有如下的加強部去除步驟：在實施了該第1激光加工步驟和該第2激光加工步驟之后并且在實施該分割步驟之前，將該加強部去除。
3.根據權利要求1或2所述的芯片的制造方法，其特征在于，
該保持工作臺的上表面由柔軟的材料構成，
在該保持步驟中，利用該柔軟的材料對被加工物的正面側進行保持。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
