[發(fā)明專利]太陽能芯片封裝方法及太陽能芯片

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910366330.5
• 申請日: 2019-04-30
• 公開（公告）號: CN111844935A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃旭;吳振省
• 申請（專利權(quán)）人: 北京漢能光伏技術(shù)有限公司
• 主分類號: B32B7/12
• 分類號: B32B7/12;B32B27/06;B32B27/36;B32B33/00;B32B37/00;B32B37/06;B32B37/10;B32B37/12;H01L31/048
• 代理公司: 北京志霖恒遠(yuǎn)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11435
• 代理人: 郭棟梁

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種太陽能芯片封裝方法，以解決一次層壓極易出現(xiàn)層壓不良的問題。其中，所述太陽能芯片封裝方法，包括：依次鋪設(shè)第一阻隔層、第一膠膜層、太陽能電池芯片、第二膠膜層和第二阻隔層；對所述依次鋪設(shè)的第一阻隔層、第一膠膜層、太陽能電池芯片、第二膠膜層和第二阻隔層進(jìn)行加壓加熱處理，形成一次層壓件；依次鋪設(shè)底布、第三膠膜層、所述一次層壓件、第四膠膜層和前板；以及對所述依次鋪設(shè)的底布、第三膠膜層、所述一次層壓件、第四膠膜層和前板進(jìn)行加壓加熱處理，形成二次層壓件。本發(fā)明實(shí)施例所提供的太陽能芯片封裝方法有效提高了太陽能芯片封裝的質(zhì)量及穩(wěn)定性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光伏發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種太陽能芯片封裝方法及太陽能芯片。

背景技術(shù)

針對柔性太陽能芯片而言，其長期使用的可靠性主要依靠材料和封裝工藝來實(shí)現(xiàn)，而柔性太陽能芯片的封裝工藝較為重要的就是層壓。

現(xiàn)有技術(shù)方案中，柔性太陽能產(chǎn)品多采用一次層壓，層壓件均為一次成型，即多層封裝材料敷合在一起，經(jīng)一次層壓成型，多層封裝材料的物理反應(yīng)和粘合均在層壓一步實(shí)現(xiàn)。

多層封裝材料敷合在一起進(jìn)行層壓封裝時，由于整體平面厚度不一，且不同層的材料的熱縮性差異較大，導(dǎo)致產(chǎn)品極易出現(xiàn)層壓不良現(xiàn)象，從而影響產(chǎn)品質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種的太陽能芯片封裝方法和一種太陽能芯片，能夠解決太陽能芯片一次層壓極易出現(xiàn)層壓不良的問題。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種太陽能芯片封裝方法，包括：依次鋪設(shè)第一阻隔層、第一膠膜層、太陽能電池芯片、第二膠膜層和第二阻隔層；對所述依次鋪設(shè)的第一阻隔層、第一膠膜層、太陽能電池芯片、第二膠膜層和第二阻隔層進(jìn)行加壓加熱處理，形成一次層壓件；依次鋪設(shè)底布、第三膠膜層、所述一次層壓件、第四膠膜層和前板；以及對所述依次鋪設(shè)的底布、第三膠膜層、所述一次層壓件、第四膠膜層和前板進(jìn)行加壓加熱處理，形成二次層壓件。

進(jìn)一步地，在依次鋪設(shè)底布、第三膠膜層、所述一次層壓件、第四膠膜層和前板步驟之前，進(jìn)一步包括：對所述一次層壓件進(jìn)行加壓冷卻定型處理。

進(jìn)一步地，包括：對所述二次層壓件進(jìn)行加壓冷卻定行處理。

進(jìn)一步地，對所述依次鋪設(shè)的第一阻隔層、第一膠膜層、太陽能電池芯片、第二膠膜層和第二阻隔層進(jìn)行加壓加熱處理，形成一次層壓件的步驟，具體包括：對所述依次鋪設(shè)的第一阻隔層、第一膠膜層、太陽能電池芯片、第二膠膜層和第二阻隔層進(jìn)行預(yù)壓預(yù)熱處理，形成第一預(yù)層壓件；以及，對所述第一預(yù)層壓件進(jìn)行加壓加熱處理，形成所述一次層壓件。

進(jìn)一步地，對所述依次鋪設(shè)的底布、第三膠膜層、所述一次層壓件、第四膠膜層和前板進(jìn)行加壓加熱處理，形成二次層壓件的步驟，具體包括：對所述依次鋪設(shè)的底布、第三膠膜層、所述一次層壓件、第四膠膜層和前板進(jìn)行預(yù)壓預(yù)熱處理，形成第二預(yù)層壓件；以及，對所述第二預(yù)層壓件進(jìn)行加壓加熱處理，形成所述二次層壓件。

進(jìn)一步地，所述第一阻隔層或第二阻隔層的材料為鋁PET薄膜。

進(jìn)一步地，所述第一膠膜層和第二膠膜層的材料為PoE膠膜。

進(jìn)一步地，所述第三膠膜層和第四膠膜層的材料為EVA膠膜。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種太陽能芯片，包括：依次設(shè)置的底布、第三膠膜層、一次層壓件、第四膠膜層和前板；所述一次層壓件進(jìn)一步包括：依次設(shè)置的第一阻隔層、第一膠膜層、太陽能電池芯片、第二膠膜層和第二阻隔層；通過上述的太陽能芯片封裝方法，經(jīng)過二次層壓制備而成。

進(jìn)一步地，所述第一阻隔層或第二阻隔層的材料為鋁PET薄膜。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例包括以下優(yōu)點(diǎn)：