[發(fā)明專利]太陽能芯片封裝方法及太陽能芯片在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910366329.2 | 申請日： | 2019-04-30 |
| 公開（公告）號： | CN111952390A | 公開（公告）日： | 2020-11-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 吳振省;黃旭 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京漢能光伏技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/048 | 分類號： | H01L31/048 |
| 代理公司： | 北京志霖恒遠(yuǎn)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 郭棟梁 |
| 地址： | 101499 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 太陽能 芯片 封裝 方法 | ||
1.一種太陽能芯片封裝方法，其特征在于，包括：
依次鋪設(shè)第一阻隔層(9201)、第一膠膜層(9202)、芯片層、第二膠膜層(9204)和第二阻隔層(9205)，所述芯片層包括太陽能電池芯片(9203)和裝飾片(9211)；
對所述依次鋪設(shè)的第一阻隔層(9201)、第一膠膜層(9202)、芯片層、第二膠膜層(9204)和第二阻隔層(9205)進(jìn)行加壓加熱處理，形成一次層壓件(9206)；
依次鋪設(shè)底布(9207)、第三膠膜層(9208)、所述一次層壓件(9206)、第四膠膜層(9209)和前板(9210)；以及
對所述依次鋪設(shè)的底布(9207)、第三膠膜層(9208)、所述一次層壓件(9206)、第四膠膜層(9209)和前板(9210)進(jìn)行加壓加熱處理，形成二次層壓件(92)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能芯片封裝方法，其特征在于，所述太陽能電池芯片(9203)和所述裝飾片(9211)具有相同的圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能芯片封裝方法，其特征在于，對所述依次鋪設(shè)的第一阻隔層(9201)、第一膠膜層(9202)、芯片層、第二膠膜層(9204)和第二阻隔層(9205)進(jìn)行加壓加熱處理，形成一次層壓件(9206)的步驟，具體包括：
對所述依次鋪設(shè)的第一阻隔層(9201)、第一膠膜層(9202)、芯片層、第二膠膜層(9204)和第二阻隔層(9205)進(jìn)行預(yù)壓預(yù)熱處理，形成第一預(yù)層壓件；以及
對所述第一預(yù)層壓件進(jìn)行加壓加熱處理，形成所述一次層壓件(9206)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能芯片封裝方法，其特征在于，對所述依次鋪設(shè)的底布(9207)、第三膠膜層(9208)、所述一次層壓件(9206)、第四膠膜層(9209)和前板(9210)進(jìn)行加壓加熱處理，形成二次層壓件(92)的步驟，具體包括：
對所述依次鋪設(shè)的底布(9207)、第三膠膜層(9208)、所述一次層壓件(9206)、第四膠膜層(9209)和前板(9210)進(jìn)行預(yù)壓預(yù)熱處理，形成第二預(yù)層壓件；以及
對所述第二預(yù)層壓件進(jìn)行加壓加熱處理，形成所述二次層壓件(92)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的的太陽能芯片封裝方法，其特征在于，所述第一阻隔層(9201)或第二阻隔層(9205)的材料為鋁PET薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的的太陽能芯片封裝方法，其特征在于，所述第一膠膜層(9201)和第二膠膜層(9205)的材料為PoE膠膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的的太陽能芯片封裝方法，其特征在于，所述第三膠膜層(9208)和第四膠膜層(9209)的材料為EVA膠膜。
8.一種太陽能芯片，其特征在于，包括：依次設(shè)置的底布(9207)、第三膠膜層(9208)、一次層壓件(9206)、第四膠膜層(9209)和前板(9210)；所述一次層壓件(92)進(jìn)一步包括：依次設(shè)置的第一阻隔層(9201)、第一膠膜層(9202)、芯片層、第二膠膜層(9204)和第二阻隔層(9205)，所述芯片層包括太陽能電池芯片(9203)和裝飾片(9211)；通過如權(quán)利要求1所述的太陽能芯片封裝方法，經(jīng)過二次層壓制備而成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的的太陽能芯片，其特征在于，所述太陽能電池芯片(9203)和所述裝飾片(9211)具有相同的圖案。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的的太陽能芯片，其特征在于，所述第一阻隔層(9201)或第二阻隔層(9205)的材料為鋁PET薄膜。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京漢能光伏技術(shù)有限公司，未經(jīng)北京漢能光伏技術(shù)有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910366329.2/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
