[發明專利]一種掩模板清洗系統及清洗方法在審
申請號: | 201910365312.5 | 申請日: | 2019-04-30 |
公開(公告)號: | CN110174815A | 公開(公告)日: | 2019-08-27 |
發明(設計)人: | 楊碩;高孝裕;李素華;袁亞鴻;王善鶴;鄭立明;張迪 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分類號: | G03F1/82 | 分類號: | G03F1/82 |
代理公司: | 廣東君龍律師事務所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 掩模板 清洗 堿清洗 酸清洗 脫水組件 有機清洗 清洗系統 干燥室 無機物 同一條直線 脫水處理 預設條件 有機物 申請 脫水 緊湊 | ||
本申請公開了一種掩模板清洗系統及清洗方法,該清洗系統包括:有機清洗組件,用于清洗掩模板上的有機物;酸清洗組件,用于清洗掩模板上能夠被酸清洗的無機物;堿清洗組件,用于清洗掩模板上能夠被堿清洗的無機物;脫水組件,用于對經有機清洗組件、酸清洗組件或堿清洗組件清洗過的掩模板進行脫水;干燥室,用于對經脫水組件脫水處理過的掩模板進行干燥;其中,有機清洗組件、酸清洗組件、堿清洗組件、脫水組件和干燥室的位置不在同一條直線上,且有機清洗組件、酸清洗組件、堿清洗組件、脫水組件和干燥室的設置滿足預設條件。通過上述方式,本申請能夠清洗三種類型的掩模板且使尺寸更為緊湊。
技術領域
本申請涉及掩模板技術領域,特別是涉及一種掩模板清洗系統及清洗方法。
背景技術
在制作顯示面板過程中,一般需要在特定位置上利用掩模板蒸鍍特定材料。掩模板在使用一段時間后,其表面會殘留有被蒸鍍的特定材料,此時需要對掩模板進行清洗,以使得掩模板可以重復使用。
現有的掩模板清洗系統包括級聯的以下腔室:(1)有機清洗槽,可以采用N-甲基吡咯烷酮NMP對掩模板上的有機物進行化學清洗;(2)水洗槽,可以采用去離子水對掩模板上殘留的NMP溶液進行清洗;(3)脫水室,可以采用異丙醇IPA對掩模板進行脫水處理;(4)干燥室,可以采用高純氣體吹干等方式對脫水后的掩模板進行干燥。
本申請的發明人在長期研究過程中發現,上述清洗系統中級聯的腔室會使產線較長;且上述清洗系統僅能清洗表面附著有有機物的掩模板。
發明內容
本申請主要解決的技術問題是提供一種掩模板清洗系統和清洗方法,能夠清洗三種類型的掩模板且使尺寸更為緊湊。
為解決上述技術問題,本申請采用的一個技術方案是:提供一種掩模板清洗系統,所述清洗系統包括:有機清洗組件,用于清洗所述掩模板上的有機物;酸清洗組件,用于清洗所述掩模板上能夠被酸清洗的無機物;堿清洗組件,用于清洗所述掩模板上能夠被堿清洗的無機物;脫水組件,用于對經所述有機清洗組件、所述酸清洗組件或所述堿清洗組件清洗過的所述掩模板進行脫水;干燥室,用于對經所述脫水組件脫水處理過的所述掩模板進行干燥;其中,所述有機清洗組件、所述酸清洗組件、所述堿清洗組件、所述脫水組件和所述干燥室的位置不在同一條直線上,且所述有機清洗組件、所述酸清洗組件、所述堿清洗組件、所述脫水組件和所述干燥室的設置滿足安全標準要求。
其中,所述清洗系統還包括:公共物流區,所述有機清洗組件、所述酸清洗組件、所述堿清洗組件和所述脫水組件分布在所述公共物流區的兩側,
優選地,分散在所述公共物流區的兩側的各組件兩兩相對設置,
優選地,所述干燥室鄰近所述公共物流區的第一端部設置。
其中,所述清洗系統還包括:電解組件,用于對經所述有機清洗組件清洗過的所述掩模板進行電解以去除所述掩模板上的顆粒物。
其中,所述酸清洗組件與所述堿清洗組件間隔設置,和/或,所述電解組件與所述脫水組件間隔設置,和/或,所述電解組件與所述酸清洗組件間隔設置。
其中,所述電解組件與所述酸清洗組件位于所述公共物流區一側,所述有機清洗組件和所述堿清洗組件位于所述公共物流區的另一側,且所述堿清洗組件與所述酸清洗組件相對設置,所述有機清洗組件和所述電解組件相對設置;所述有機清洗組件相對所述堿清洗組件遠離所述干燥室。
其中,所述清洗系統還包括:抓取組件,包括第一機械臂,所述第一機械臂位于所述公共物流區,用于抓取并移動所述掩模板的位置;清洗槽,位于所述電解組件與所述酸清洗組件之間,用于清洗所述抓取組件與所述掩模板接觸的端部;上料室,位于所述公共物流區的第二端部且所述有機清洗組件靠近所述上料室,用于承載待清洗的所述掩模板;下料室,位于所述干燥室遠離所述公共物流區的所述第一端部一側,用于承載所述干燥室干燥完成后的所述掩模板。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備