[發明專利]一種掩模板清洗系統及清洗方法在審
申請號: | 201910365312.5 | 申請日: | 2019-04-30 |
公開(公告)號: | CN110174815A | 公開(公告)日: | 2019-08-27 |
發明(設計)人: | 楊碩;高孝裕;李素華;袁亞鴻;王善鶴;鄭立明;張迪 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分類號: | G03F1/82 | 分類號: | G03F1/82 |
代理公司: | 廣東君龍律師事務所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 掩模板 清洗 堿清洗 酸清洗 脫水組件 有機清洗 清洗系統 干燥室 無機物 同一條直線 脫水處理 預設條件 有機物 申請 脫水 緊湊 | ||
1.一種掩模板清洗系統,其特征在于,所述清洗系統包括:
有機清洗組件,用于清洗所述掩模板上的有機物;
酸清洗組件,用于清洗所述掩模板上能夠被酸清洗的無機物;
堿清洗組件,用于清洗所述掩模板上能夠被堿清洗的無機物;
脫水組件,用于對經所述有機清洗組件、所述酸清洗組件或所述堿清洗組件清洗過的所述掩模板進行脫水;
干燥室,用于對經所述脫水組件脫水處理過的所述掩模板進行干燥;
其中,所述有機清洗組件、所述酸清洗組件、所述堿清洗組件、所述脫水組件和所述干燥室的位置不在同一條直線上,且所述有機清洗組件、所述酸清洗組件、所述堿清洗組件、所述脫水組件和所述干燥室的設置滿足安全標準要求。
2.根據權利要求1所述的清洗系統,其特征在于,所述清洗系統還包括:公共物流區,所述有機清洗組件、所述酸清洗組件、所述堿清洗組件和所述脫水組件分布在所述公共物流區的兩側,
優選地,分散在所述公共物流區的兩側的各組件兩兩相對設置,
優選地,所述干燥室鄰近所述公共物流區的第一端部設置。
3.根據權利要求1所述的清洗系統,其特征在于,所述清洗系統還包括:電解組件,用于對經所述有機清洗組件清洗過的所述掩模板進行電解以去除所述掩模板上的顆粒物。
4.根據權利要求3所述的清洗系統,其特征在于,
所述酸清洗組件與所述堿清洗組件間隔設置,和/或,所述電解組件與所述脫水組件間隔設置,和/或,所述電解組件與所述酸清洗組件間隔設置。
5.根據權利要求3所述的清洗系統,其特征在于,
所述電解組件與所述酸清洗組件位于所述公共物流區一側,所述有機清洗組件和所述堿清洗組件位于所述公共物流區的另一側,且所述堿清洗組件與所述酸清洗組件相對設置,所述有機清洗組件和所述電解組件相對設置,所述有機清洗組件相對所述堿清洗組件遠離所述干燥室。
6.根據權利要求3所述的清洗系統,其特征在于,所述清洗系統還包括:
抓取組件,包括第一機械臂,所述第一機械臂位于所述公共物流區,用于抓取并移動所述掩模板的位置;
清洗槽,位于所述電解組件與所述酸清洗組件之間,用于清洗所述抓取組件與所述掩模板接觸的端部;
上料室,位于所述公共物流區的第二端部且所述有機清洗組件靠近所述上料室,用于承載待清洗的所述掩模板;
下料室,位于所述干燥室遠離所述公共物流區的所述第一端部一側,用于承載所述干燥室干燥完成后的所述掩模板。
7.根據權利要求6所述的清洗系統,其特征在于,所述抓取組件還包括:第二機械臂和第三機械臂,所述第一機械臂用于在所述有機清洗組件、所述酸清洗組件、所述堿清洗組件、所述脫水組件和所述干燥室之間抓取并移動所述掩模板的位置;所述第二機械臂用于將所述掩模板從所述上料室取出;所述第三機械臂用于將所述掩模板放置到所述下料室中。
8.根據權利要求2所述的清洗系統,其特征在于,
所述脫水組件包括第一脫水室和第二脫水室,所述第一脫水室和所述第二脫水室分別位于所述公共物流區的兩側,且靠近所述干燥室;
所述有機清洗組件包括有機清洗槽以及至少一個第一水洗槽,所述有機清洗槽與所述第一水洗槽相鄰設置;
所述電解組件,包括電解槽以及至少一個第二水洗槽,所述電解槽與所述第二水洗槽相鄰設置
所述酸清洗組件包括酸清洗槽以及至少一個第三水洗槽,所述酸清洗槽與所述第三水洗槽相鄰設置;
所述堿清洗組件包括堿清洗槽以及至少一個第四水洗槽,所述堿清洗槽與所述第四水洗槽相鄰設置。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備