[發明專利]一種蒸發源裝置有效
| 申請號: | 201910363036.9 | 申請日: | 2019-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN110042345B | 公開(公告)日: | 2021-03-16 |
| 發明(設計)人: | 肖世艷;彭久紅 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 蒸發 裝置 | ||
1.一種蒸發源裝置,其特征在于,包括:
主坩堝組件,包括多個傾斜排列的主坩堝,每一所述主坩堝均包括N個噴嘴,所述主坩堝組件的噴嘴陣列分布形成平行四邊形;以及,
補位坩堝組件,包括N-1個補位坩堝,所述補位坩堝組件的噴嘴的連線形成直角三角形,以將所述主坩堝組件的噴嘴陣列填補為矩形方陣;
其中,所述矩形方陣中任意相鄰每一排和每一列的噴嘴用于噴出的蒸鍍材料種類均相同,且任意相鄰的兩個噴嘴用于噴出不相同的蒸鍍材料;
所有所述主坩堝的形狀相同,任意相鄰所述主坩堝沿著縱向等間距、平行設置。
2.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述主坩堝傾斜排列的方向與縱向呈預設角度α,且0°<α<90°。
3.根據權利要求2所述的裝置,其特征在于,所述補位坩堝的傾斜角度與所述主坩堝的傾斜角度相同。
4.根據權利要求3所述的裝置,其特征在于,N-1個所述補位坩堝的噴嘴數目呈等差數列,所述等差數列的首項為1,公差為1,其中,N大于或等于3。
5.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述矩形方陣中每一排的噴嘴的數量相同,每一列的噴嘴的數量也相同。
6.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,任意坩堝的形狀為圓柱體或者長圓柱體,且任意坩堝的掃描方向與縱向垂直。
7.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,同一個坩堝用于存放相同蒸鍍材料,任意相鄰坩堝用于存放不同蒸鍍材料。
8.根據權利要求7所述的裝置,其特征在于,不同種類的蒸鍍材料依次交替設置到蒸發源裝置中自右而左,自上而下排列的坩堝中。
9.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,圍繞蒸發源裝置輪廓上設置有多層制限板,所述制限板的內壁向所述制限板的中心傾斜或彎曲。
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