[發(fā)明專利]一種分離柵閃存單元的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910362571.2
• 申請(qǐng)日: 2019-04-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110061009B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張磊;胡濤;王小川;田志;王奇?zhèn)?/a>;陳昊瑜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11524
• 分類號(hào): H01L27/11524
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 徐偉

1.一種分離柵閃存單元的制造方法，所述分離柵閃存單元至少包括選擇柵極和浮柵極，其特征在于，所述制造方法包括：

提供第一類型的襯底；

在所述襯底上形成所述選擇柵極；

對(duì)形成所述選擇柵極之后的襯底執(zhí)行第二類型的離子注入；

在所述選擇柵極的一側(cè)形成隔離墻；

對(duì)形成所述隔離墻之后的襯底執(zhí)行所述第一類型的離子注入，以僅在所述隔離墻下方的襯底上部形成所述第二類型的離子注入?yún)^(qū)，所述第一類型不同于所述第二類型；以及

在所述隔離墻的另一側(cè)形成所述浮柵極。

2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一類型的離子注入的深度略大于所述第二類型的離子注入的深度，以中和所述第二類型的離子注入。

3.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一類型的離子注入的注入濃度使所述第一類型的離子注入中和所述第二類型的離子注入。

4.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一類型為P型，所述第二類型為N型，以及

形成所述離子注入?yún)^(qū)所采用的N型離子為砷。

5.如權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，注入所述砷采用的能量為10-15KeV，注入所述砷采用的劑量為5E12-5E13 atom/cm²，以及

采用硼執(zhí)行所述第一類型的離子注入；其中

注入所述硼采用的能量為5-8KeV，注入所述硼采用的劑量為1E12-1E13 atom/cm²。

6.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：在所述選擇柵極另一側(cè)的襯底上部與所述浮柵極另一側(cè)的襯底上部分別形成所述分離柵閃存單元的源/漏極離子注入?yún)^(qū)，其中

所述源/漏極離子注入?yún)^(qū)的深度大于所述第一類型的離子注入的深度。

7.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述源/漏極離子注入?yún)^(qū)為所述第二類型，以及

所述離子注入?yún)^(qū)的離子濃度低于所述源/漏極離子注入?yún)^(qū)的離子濃度。

8.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述第二類型的離子注入?yún)^(qū)還包括：

在執(zhí)行第二類型的離子注入后，采用快速熱氧化工藝對(duì)所述選擇柵極進(jìn)行預(yù)氧化。

9.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，進(jìn)行所述預(yù)氧化進(jìn)一步包括：在950-1050攝氏度的溫度下執(zhí)行所述快速熱氧化工藝在所述選擇柵極的表面形成60-70埃的預(yù)氧化層。

10.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述離子注入?yún)^(qū)的寬度關(guān)聯(lián)于所述隔離墻的厚度。

11.如權(quán)利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述離子注入?yún)^(qū)的寬為165-185埃。

12.一種分離柵閃存單元的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述分離柵閃存單元至少包括形成在襯底上的選擇柵極和浮柵極，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)采用如權(quán)利要求1-11中任意一項(xiàng)所述的制造方法形成。